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更新时间:2026-03-11
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光子集成电路的无隔离器运行,使得高密度集成成为可能,从而降低了封装成本和复杂性。大多数隔离器替代方案,需要改变绝缘体上硅的代工厂工艺,并且存在插入损耗大的问题。多数解决方案集中于谐振器件,并且也缺少对调制反射的测量。
近日,加拿大不列颠哥伦比亚大学Omid Esmaeeli等在Nature Photonics上发文,提出了一种零工艺改动硅光回路,本质为可调片上反射器,可精准调控激光动力学。基于该非谐振型PIC,激光–PIC系统可同时耐受来自多个反射点的连续与时变(调制)寄生反射,并实现低插入损耗。
该硅光子电路辅以电光反馈环路,可动态调整自注入,完成工作点初始化与长期稳频,无需人工调谐,以保持激光器稳定性。所提出的电路引入了1.67 dB插入损耗,并使分布式反馈激光器容忍分别高达-7 dB(来自片上反射器)和-12 dB(来自片外反射器)的背向反射。
该分布式反馈激光器,使用光子线键合与硅光子芯片异构集成。该集成激光器,在高速光链路中的无隔离器运行已得到验证,突显了在数据通信中的应用潜力。

图 1: 不同激光器-光子集成电路photonic integrated circuit,PIC组装架构及其隔离策略。

图 2: 硅光子电路表征。

图 3: 电光反馈环路运行及稳定性能。

图 4: 在片上及片外寄生反射下,稳定后分布式反馈激光器的反射容忍度。

图 5: 在高速光链路中,无隔离器激光器运行演示。
利用原生硅光回路技术解决隔离问题,具有低成本且适配高密度集成:1)零工艺改动:如利用非线性光学效应,或通过折射率调制产生时空非互易性;2)需改动工艺:如集成磁光材料,或基于超低损耗氮化硅(SiN)工艺实现注入锁定。
通过引入芯片级可控反射与电光反馈环路,实现了零工艺变更的硅基激光器抗反射运行。规避了传统隔离器或磁光材料集成的高成本与工艺复杂性,利用标准CMOS兼容的硅光子无源与热光器件,通过电路设计,解决了激光器对反射敏感的物理难题。
参考文献: 中国光学期刊网
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