794.7nm单模VCSEL发射激光器 PL-VCSEL-0795-1-A81-TO46 型 794.7 纳米垂直腔面发射激光器是一款垂直出光的、通过金属有机气相外延（MOVPE）方法生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。其芯片采用 TO5 封装。可通过调节激光电流和温度来实现波长调谐。

976nm DBR激光二极管 976nm DBR系列高性能边缘发射激光二极管基于Photodigm优良的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。它提供单空间模式光束，并具有钝化刻面以提高可靠性。976nm系列DBR器件用于光学相干断层扫描（OCT）和其他生物医学成像和传感应用。

785nm DBR激光二极管 785nm分布布拉格反射（DBR）系列高性能边发射激光二极管，基于筱晓光子*的单片集成单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光二极管可输出单空间模式光束，且采用钝化端面设计以确保可靠性。785nm系列DBR器件适用于拉曼光谱应用领域

850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管（不带TEC） PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计。

635nm激光二极管(TO56 最大电流150mA)|生物医学 用于635nm波长的脊形波导激光二极管