976nm DBR激光二极管 976nm DBR系列高性能边缘发射激光二极管基于Photodigm优良的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。它提供单空间模式光束，并具有钝化刻面以提高可靠性。976nm系列DBR器件用于光学相干断层扫描（OCT）和其他生物医学成像和传感应用。

785nm DBR激光二极管 785nm分布布拉格反射（DBR）系列高性能边发射激光二极管，基于筱晓光子*的单片集成单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光二极管可输出单空间模式光束，且采用钝化端面设计以确保可靠性。785nm系列DBR器件适用于拉曼光谱应用领域

850nm单模光纤耦合VCSEL激光二极管（不带TEC） PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计。

635nm激光二极管(TO56 最大电流150mA)|生物医学 用于635nm波长的脊形波导激光二极管

innolume DFB激光二极管(带集成光隔离器) 1200nm 60mW 分布式反馈 （DFB） 和分布式布拉格反射器 （DBR） 激光二极管是发射极窄光谱线的光源，带宽低于 5MHz，典型侧模抑制比 （SMSR） 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱（QW）或InAs/GaAs量子点（QD）有源区域和专有芯片设计，覆盖970-1330nm光谱