850nm单模VCSEL激光器TO46（不带TEC）2mW 产品总览 Philips借经过优化的光学特性，850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制，同时具有线性偏振稳定性。

QCL 是一种半导体激光器，其发射波长在中红外范围（4 um 至 10 um）。由于其发射原理与普通 LD *不同，QCL 作为中红外应用（如环境监测中的痕量气体分析）的创新解决方案而备受关注。 DFB-CW QCL 连续量子级联激光器 5.26um

1064nm高功率宽区域激光二极管(8W) 高功率宽区域激光二极管是一种专门设计用于产生高功率激光输出的半导体器件。它结合了“宽区域”设计和高功率特性，广泛应用于激光材料加工、激光雷达、光通信、医疗激光设备、科学研究等领域。

1120nm高功率宽区域激光二极管(8W) 高功率宽区域激光二极管是一种专门设计用于产生高功率激光输出的半导体器件。它结合了“宽区域”设计和高功率特性，广泛应用于激光材料加工、激光雷达、光通信、医疗激光设备、科学研究等领域。

1210nm高功率宽区域激光二极管(5W) 高功率宽区域激光二极管是一种专门设计用于产生高功率激光输出的半导体器件。它结合了“宽区域”设计和高功率特性，广泛应用于激光材料加工、激光雷达、光通信、医疗激光设备、科学研究等领域。