760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL TO39 760nm单模垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）应用而设计,内置防静电（ESD）保护.

1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW 产品总览 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。

795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C) 产品总览 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。

852±1nm Philips单模VCSEL激光器 1mW（带TEC） Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测，以及795nm用于Rb原子钟实验，还有852nm用于CS原子冷却。

795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips (二极管已停产 芯片在售) Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测，以及795nm用于Rb原子钟实验，还有852nm用于CS原子冷却。