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894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs

简要描述:894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs:以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。

  • 产品型号:V00145
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-08-08
  • 访  问  量:952

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组成要素半导体激光器产品及设备产地类别进口
应用领域化工,建材,电子

       垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),简称VCSEL,是一种半导体激光器,其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。有源区有量子肼组成,在P型DBR外表面制作金属接触层,形成欧姆接触,并在P型DBR上制作一个圆形出口,输出激光。

技术参数

应用

原子钟

磁力计


特点:

包装: 裸片

芯片工艺: GaAs 垂直腔面发射激光器

激光波长: 894.6 nm

辐射剖面: 单模

ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)


最大额定值

Ta = 80°C


参数

符号


操作/焊接温度

DC = 100%

TS

最小值

最大值

-20°C

110°C

储存温度

Tstg

最小值

最大值

-40°C

125°C

正向电流(保持单模)

直流操作;

DC = 100%; TS = 75°C

If

最大值

1.5 mA

正向电流

直流操作;

DC = 100%; TS = 75°C

If

最大值

3 mA

反向电压

不适合反向操作

ESD 耐电压

acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

VESD

最大值

250 V


注意:超出绝对最大额定值范围的应力可能会对设备造成损坏。



 

特点

Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3


参数

符号


正向电流

VF

典型值

1.78 V

输出功率

Φ

典型值

0.3 mW

阈值电流

Ith

典型值

0.61 mA

斜率效能

SE

典型值

0.37 W / A

单模抑制比

SMSR

最小值

20 dB

偏振消光比5)

PER

最小值

15 dB

峰值波长

λpeak-v

最小值

典型值

最大值

894.1 nm

894.6 nm

895.1 nm

光谱线宽度

Λlinewidth

最大值

100   MHz

调频调制带宽

Fm

最小值

4.6 GHz

波长温度系数

TCλ

典型值

0.06 nm / K

半峰全宽处视场(50% of Φmax)

φx

φY

典型值

典型值

12°

12°

1/e2处 视场

φx

φY

典型值

典型值

20°

20°


注意:波长,输出功率根据操作温度和电压的变化而变化。




相对光谱发射 1)


220.png


辐射特征 1)



113.png

正向电流 1) 2)


221.png

光输出功率 1) 2)


222.png


尺寸图 3)





223.jpg






产品标签



垂直腔面发射激光器 (VCSEL)


型号:


生产商:    VIXAR INC

2355 POLARIS AVE N. SUITE 100

Plymouth, MN 55447USA



制造:     Bare Die by VIXAR

Fabricated or packaged by:

Vixar, Inc.

2355 POLARIS AVE N. SUITE 100

Plymouth, MN 55447, USA


晶片 #:

Mft Lot #:

生产日期:

数量:


符合FDACDRH21CFR 1040.10标准,1040.11除外


器械与放射健康中心   登记号:1210159-000

产品编号:95R--DW





包装






117.jpg



注意事项

根据操作模式的不同,这些设备发射出高度集中的可见光和非可见光,这可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1中给出的安全预防措施。


除其他物质外,该装置的子组件还含有金属填充材料,包括银。金属填充材料可能会受到含有侵略性

物质的环境影响。因此,我们建议客户在存储、生产和使用过程中尽量减少设备接触腐蚀性物质。当

使用上述试验进行试验时,显示出可见变色的装置在规定的试验持续时间内未显示出故障限值范围内

的性能偏差。


IEC60810中描述了相应的故障限值。



术语

1)          典型值:由于半导体器件制造工艺的特殊条件,技术参数的典型数据或计算关联只能反映统计数字。这些不一定对应于每个产品的实际参数,这些参数可能不同于典型值和计算相关或典型特征线。由于技术改进,这些典型值数据将被更改,恕不另行通知。

2)         测试温度: TA = 85°C ± 2°C

3)         尺寸公差:除非图纸中另有说明,公差以±0.1规定,尺寸以mm规定。

4)         波长:连续波长测量,分辨率±0.1 nm。

5)         偏振: 在安装或封装引起的模具应力条件下,偏振消光比会降低。




订购信息


描述

工作模式

订购代码

Group 1 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 60±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 1

Group 2 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 70±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 2

Group 3 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 80±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 3

Group 4 - Die; 2222; 895; S; 1M;

S5,   S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta   = 90±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 4

Group 5 - Die; 2222; 895; S; 1M; S5, S6, S7; 0.2mW; 0.16X0.20

Ta = 100±10°C; IF = 1.4 mA; DC = 100%, 894.6nm

V00140 Group: 5


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