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当前位置:首页  >  产品展示  >  光学无源器件  >  晶体/窗片  >  GAASP5-5砷化镓(GaAs)窗片 正方体 2-16μm

砷化镓(GaAs)窗片 正方体 2-16μm

简要描述:砷化镓(GaAs)窗片 正方体 2-16μm 砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的,应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好,硬度高,抗恶劣环境能力强,它在2-16μm光谱范围有很好的透过率,广泛应用于热红外成像系统,大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差,光学镜头或窗口需要反复擦拭的条

  • 产品型号:GAASP5-5
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2022-06-01
  • 访  问  量:48

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详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组件类别光学元件应用领域综合
波长范围2-16μm

砷化镓(GaAs)窗片 正方体 2-16μm 砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的,应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好,硬度高,抗恶劣环境能力强,它在2-16μm光谱范围有很好的透过率,广泛应用于热红外成像系统,大功率CO2激光光学系统和FLIR系统。在现场环境很差,光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下,砷化镓(GaAs)常被用来替代硒化锌(ZnSe)作为红外镜头或窗口的材料。

技术参数

传输范围:

1-16μm

折射率:

3.2727 @10.33μm

反射损失:

44%@10.33μm

吸收系数:

0.01cm-1

吸收峰:

n / a

dn / dT:

147×10-6/℃ @ 10μm for derivation

dn /dμ= 0:

6.3μm

密度:

5.315g/cm3

熔点:

1511℃

热导率:

48 W m-1K-1@273K

热膨胀:

5.7×10-6/℃@300K

硬度:

Knoop 750

比热容:

360 JKg-1K-1

介电常数:

在低频下为12.91

杨氏模量(E):

84.8GPa

剪切模量(G):

n / a

体积模量(K):

75.5GPa

弹性系数:

n / a

表观弹性极限:

71.9 MPa

泊松比:

0.31

溶解性:

不溶于水

分子量:

144.64

类/结构:

立方ZnS,F43m,(100)裂解


折射率(O光)

µm

No

µm

No

µm

No

1.033

3.492

1.550

3.3737

2.066

3.338

2.480

3.324

3.100

3.3125

4.133

3.3027

4.959

3.2978

6.199

3.2921

7.293

3.2874

8.266

3.2831

9.537

3.2769

10.33

3.2727

11.27

3.2671

12.40

3.2597

13.78

3.2493

15.50

3.2336

17.71

3.2081

19.07

3.1866


光谱透射曲线


搜狗截图20220601152641.png



产品特点

化学稳定性好

硬度高

抗恶劣环境能力强

产品应用

● 太赫兹时域系统

太赫兹源窗片

科学实验室研究

远红外光学

高功率CO2激光器

热红外成像系统

FLIR系统

订购信息

订购型号

规格(D×L)(mm)

光谱范围

GAASP10-0.3

10.0×0.3mm

IR

GAASP25.4-2

25.4×2.0mm

IR




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