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850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器

简要描述:850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器我们的单模VCSEL旨在满足广泛的光学传感应用的严格规范。该产品提供偏振稳定的单模发射,具有对称的高斯光束轮廓,输出功率通常为1mW。偏置电流范围为3至6mA。

  • 产品型号:APA8501010001
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2022-08-12
  • 访  问  量:69

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组成要素半导体激光器产品及设备产地类别进口
应用领域化工,建材,电子

850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器我们的单模VCSEL旨在满足广泛的光学传感应用的严格规范。该产品提供偏振稳定的单模发射,具有对称的高斯光束轮廓,输出功率通常为1mW。偏置电流范围为3至6mA。

850nm偏振锁定单模VCSEL芯片激光器

通用参数

产品特点:

单横模和单纵模

偏振稳定发射

低功耗

高可靠性

高斯光束分布

背面阴极和顶部阳极配置

通过RoHS认证

 

产品应用:

激光鼠标

光学传感器应用

光电编码器

 

光电特性:

操作条件: Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

 

参数

符号

最小

典型

最大

单位

备注

阈值电流

ITH

1

3

5

mA

T = 25°C

斜率效率

η

0.20

0.40

0.65

mW/mA

T = 25°C, I = Ith+1mA

工作电流

IOP

2.3


6

mA

T = 25°C, Pop=0.55mW

工作电压

UOP



2.3

V

工作条件

微分电阻

Rd

20


90

T = 25°C,   Pop=0.55mW

SM光输出功率

PSM

0.9



mW

T = 25°C

边模抑制比

SMSR

10



dB

T = 25°C, Pop=0.9mW

偏振方向的精度

δpo

-15


+15

deg

T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

发射波长

λpeak

840

850

860

nm

工作条件

光束发散性

θFW1/e2

13

17

21

deg

T = 25°C, Pop=0.5mW

光功率随温度的变化

P(T) – Pop

-200


+120

µW

Iop, T=5...45°C

SM=单个模式;FW1/e2=全宽1/e2

 

绝对最大额定参数

参数

最大值

单位

备注

连续工作电流

8

mA

3

连续反向电压

8

V


PCB焊料或回流温度

260

°C

最多10秒

 

封装尺寸:芯片尺寸

参数

最小

典型

最大

备注

芯片宽度

135

155

175

µm

芯片长度

135

155

175

µm

芯片厚度

135

150

165

µm

 



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