850nm单模VCSEL激光器TO46（带TEC）2mW Philips借经过优化的光学特性，850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制，同时具有线性偏振稳定性。

850nm单模VCSEL激光器TO46（不带TEC）2mW 产品总览 Philips借经过优化的光学特性，850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制，同时具有线性偏振稳定性。

850±10nm单模VCSEL激光器(带TEC) 1mW 产品总览 Philips借经过优化的光学特性，850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制，同时具有线性偏振稳定性。

760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL TO39 760nm单模垂直腔面发射激光器（VCSEL）具有出光功率高，线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）应用而设计,内置防静电（ESD）保护.

1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW 产品总览 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。