一、背景介绍光子器件和电子器件发展模式类似，都是从分立器件到微米集成然后到纳米集成。集成光子回路是集成电子回路的类比，它能在片上完成光信息的产生、传输、处理和探测。其中，片上微纳激光器可以为集成光子回路提供相干光源，产生光信息。同商用激光器一样，微纳激光器由增益材料、谐振腔和泵浦源三个部分组成。胶质量子点是一种半导体纳米晶体，被广泛用作微纳激光器的增益材料。基于纳米尺寸（约2到20nm）胶质量子点的可溶液处理的特点，胶质量子点可以作为发光的纳米“积木”。这种纳米“积木”通过自...

自2015年美国华盛顿大学徐晓东教授课题组报道了第一个基于二维TMDC材料的微纳激光器，在低温下实现了激光发射，从此拉开了二维材料激光器研究的序幕。他们将单层WSe2转移到在磷化镓材料上制备的光子晶体微腔上(图1(a))，通过移除光子晶体上3个相邻的小孔形成线性缺陷腔，也被称为L3光子晶体缺陷微腔。激光的发射主要通过“L-L”曲线中的明显扭结和线宽变窄来识别(图1(b))。之后，人们对于二维层状材料激光器进行了大量的研究。美国加州大学张翔教授课题组将单层WS2(带隙约2eV)...

随着通信行业的快速扩张以及光互联等技术的发展，人们对激光器等器件集成化、小型化的需求日益旺盛。将激光器尺寸推向微米乃至纳米量级，是发展新一代激光器的必然选择。半导体纳米线激光器因具有灵活的材料和带隙调控性能，同时又可作为谐振腔和增益介质的一维结构，自2001年被提出后一直受到广泛关注，已成为微纳激光器领域的主要研究方向之一。一、常用的半导体材料纳米线的自底向上的合成方式十分有利于开发新的半导体材料。早期实现的半导体纳米线激光器的发射波长主要集中在紫外和可见波段。紫外波段材料包...

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你知道吗?作为支撑腾讯、阿里巴巴、Google等大型数据中心的关键光电子器件之一的垂直腔面发射激光器(vertical-cavitysurface-emittinglaser，VCSEL)，在1979年就被第一次展示了。VCSEL的概念最早由日本东京工业大学Iga教授于1977年提出，是为了解决边发射激光器(edge-emittinglaser，EEL)的研究中，人们遇到的制作、测试、以及模式和波长控制等问题。VCSEL通常由上/下布拉格反射镜(distributedBrag...

饱和吸收光谱（SaturatedAbsorptionSpectroscopy,SAS）作为突破多普勒展宽限制的高分辨率光谱技术，在原子分子物理、精密测量等领域具有重要价值。本文简要阐述了饱和吸收光谱的工作原理、以及我们如何使用780nmDFB扫出85Rb的饱和吸收光谱。什么是原子吸收光谱？当入射光波长与原子基态到激发态跃迁能量匹配时，原子外层电子吸收光子能量发生跃迁，导致入射光强度显著衰减，形成吸收峰。该过程遵循量子力学选择定则，仅允许特定能级间的跃迁。原子吸收峰并非严格单色...

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自上世纪60-70年代发展起来的半导体激光器和光纤技术促成了通信革命，使人类迅速从工业社会进入信息社会。业界先后采用了0.85μm、1.3μm及1.5μm三个波段的半导体激光器作为通信光源。其中0.85μm波段激光器采用三元AlGaAs/GaAs材料体系，1.3μm及1.5μm波段激光器采用四元的InGaAsP/InP或AlGaInAs/InP材料体系。在半导体激光器家族中，半导体分布反馈(DFB)激光器因其优异的光谱特性与调制特性，已经成为通信系统中最为重要、使用最为广泛的...