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LISe硒铟锂LilnSe2 NIR-IR近红外非线性晶体

简要描述:LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体通过定向凝固生长单晶。典型的生长晶体长约 20 毫米,直径约 10 毫米,呈深红色。晶格常数被确定为a = 7.218 埃, b= 8.441 Å,c = 6.772 Å,粉末 X 射线衍射。通过差热分析确定熔点为904℃。LiInSe 的能带隙2在室温下,通过光

  • 产品型号:LilnSe2-
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-06-02
  • 访  问  量:185

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组件类别光学元件应用领域综合
透光率0.43-13.2


LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体LISe  硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体通过定向凝固生长单晶。典型的生长晶体长约 20 毫米,直径约 10 毫米,呈深红色。晶格常数被确定为a = 7.218 埃, b= 8.441 Å,c = 6.772 Å,粉末 X 射线衍射。通过差热分析确定熔点为904℃。LiInSe 的能带隙2在室温下,通过光


复合物LilnSe2透光率, µm0.43– 13.2 非线性系数, pm/Vd31=11.78, d24=8.17 @2.3 µm 对称度斜方(晶系), mm2 point group 晶胞参数, Åa=7.192, b=8.412, c=6.793 带隙, eV2.86典型反射系数10.0 µm  5.0 µmnx=2.2015, ny=2.2522,   nz=2.2566  nx=2.2370, ny=2.2772, nz=2.2818用于SHG的基频x-y, Type II, eoe2.73 – 8.24x-z, Type I, ooe2.08 – 12.4y-z, Type II, oeo2.73 – 3.07y-z Type II, oeo7.66 – 8.24Total interval covered2.08 – 12.4光学损坏阈值, GW/cm21064 nm  (t=10 ns)~40 热导率k, WM/M°Ckx=4.73 ± 0.3; ky=4.67 ± 0.3; kz=5.45 ± 0.3室温带隙, eVEg = 2.730.2透明度级别的远红外吸收边缘1.24 THz at 240 µm 光学元件参数定向精度, arc min< 30平行度, arc sec< 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用Ti: Sappire 激光泵浦下的光学参量振荡器 (范围 1 – 13 µm)中红外(2-13µm)的差频产生 对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。

搜狗截图20220602100917.png

应用

Ti: Sappire 激光泵浦下的光学参量振荡器 (范围 1 – 13 µm)

中红外(2-13µm)的差频产生

 

对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。


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