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GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体

简要描述:GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于

  • 产品型号:GaSe-
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-06-02
  • 访  问  量:186

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组件类别光学元件应用领域综合
参数见参数表

GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于复合物GaSe透光率, µm0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 µm对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, Åa=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 µm  5.3 µmno=2.6975, ne=2.3745  no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm  (t=10 ns)30离散角, °5.3 µm4.1 

搜狗截图20220602102900.png

 

应用

  • 10.6 µm激光辐射二次谐波的产生

  • 中红外区域高达17µm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等

 

对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。



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