Anritsu SLD激光器 840nm-筱晓（上海）光子技术有限公司

产品分类

Product Category

光源

谐振腔发光二极管RCLED 非相干光源纠缠源/单光子源泵浦光源 ASE光源 SLD光源/激光器窄线宽激光器/光源 LED二极管光源

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详细介绍

品牌	其他品牌	价格区间	面议
组件类别	光学元件	应用领域	综合
参数	见参数表

Anritsu SLD激光器 840nm

SLD（超辐射发光二极管/SLED）光源提供与激光二极管等效的输出功率和与LED（发光二极管）等效的宽振荡光谱宽度，以及低相干度。由于它发射的光具有相当于激光二极管的窄有源层，因此非常适合进入光纤，并且具有介于LD和LED之间的特性。AS8B系列是为光学相干层析成像（OCT）光源和非相干光学测量设备开发的超发光二极管（SLD）模块。

中心波长

1550nm

通用参数

特点

光纤输出功率高

2 mW（如果IF£120 mA）AS8B112G230M（Δλ：14 nm）

5 mW（如果IF£150 mA）AS8B115G230M（Δλ：14 nm）

5 mW（如果IF£180 mA）AS8B115L240M（Δλ：50 nm）

尾纤：SMF（Φ0.9 mm：尼龙涂层）

FC-APC连接器

14针蝶形组件

监视器PD和TEC（热电冷却器）内置在组件中

低功耗

应用

光学相干层析成像（OCT）

光学传感系统光源

尺寸

吸收最大额定值

Item	Symbol	Rating			unit
Item	Symbol	AS8B112G230M	AS8B115G230M	AS8B115L240M	unit
Optical output power	Pf	2.5	6.0	7.0	mW
SLD Forward current	IF	180	220	220	mA
SLD Reverse voltage	VR	2.0			V
PD Reverse voltage	VRD	20			V
Operation case temperature	TC	-20 to 70			°C
Storage temperature	Tstg	-40 to 85			°C
TEC current	IC	2.0			A

注：超过绝对最大额定值可能导致故障。

光纤特性

Item	Min.	Typ.	Max.	unit
Cut-off wavelength	700	730	760	nm
Mode field diameter @850nm	4.5	5.0	5.5	μm
Clad diameter	123.5	125	126.5	μm
Coating diameter	850	-	950	μm
Fiber bending radius	13	-	-	mm

光学特性（TSLD＝25°C、TC＝25°C）

Item	Symbol	AS8B112G230M			AS8B115G230M			AS8B115L240M			unit
Item	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Min.	Typ.	Max.	Min.	Typ.	Max.	unit
Output power	Pf	2.0	-	-	5.0	-	-	5.0	-	-	mW
Forward voltage	VF	-	2.0	2.5	-	2.0	2.5	-	2.0	2.5	V
Forward current （BOL)	IF	-	-	120	-	-	150	-	150	180	mA
Center wavelength	λC	810	830	850	810	830	850	820	840	860	nm
Spectral Width	Δλ	10	14	-	10	14	-	45	50	-	nm
Monitor current	Im	0.2	-	-	0.2	-	-	0.05	-	2.0	mA

注1：每个值在额定输出功率下定。

注2：监视器电流测量条件（VR=5 V）。

电气特性

Item	Symbol	Condition	Min.	Typ.	Max.	unit
PD dark current	Id	VR=5 V	-	-	0.1	μA
Tracking error	ΔPf	Im=const, Tc=-20 to 70°C	-1.0	-	1.0	dB
Cooler voltage	VC	IF=*EOL, Tc=70°C	-	-	2.5	V
Cooler current	IC	IF=*EOL, Tc=70°C	-	-	1.0	A
Thermistor resistance	Rth	TLD=25°C, B=3900±100K	9.5	10.0	10.5	kΩ