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硅Si雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.8mm TO46)

简要描述:硅Si雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.8mm TO46)硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-10-25
  • 访  问  量:859

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子
总览

Si 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

通用参数

产品特点:

正照平面型芯片结构

高速响应

高增益

低结电容

低噪声


产品应用:

激光测距

激光雷达

激光警告

技术参数:

光电性能(@Ta=22±3℃)


 

器件型号

光谱响应范

(nm)

峰值响

应波长

(nm)

响应度

λ =905nm

φ e =1μW

M=100

(A/W)

暗电流

M=100

(nA)

响应时间

λ =905nm

R L =50Ω

(ns)

工作电压

温度系数

T a =-40℃

~85℃

(V/℃)

总电容

M=100

f=1MHz

(pF)

击穿电压

I R =10μA

(V)

典型

最大

最小

最大

APD-SI-905-2-TO46

400~1100

905

55

0.2

1

0.6

0.9

1.0

130

220

APD-SI-905-5-TO46

0.4

1

1.2

APD-SI-905-8-TO46

0.8

2

2.0

APD-SI-905-2-LCC3

0.2

1

1.0

APD-SI-905-5-LCC3

0.4

1

1.2

 

 

结构/最大绝对额定值

器件型号

封装形式

光敏面直径

(mm)

工作电压

(V)

工作温度

(℃)

储存温度

(℃)

焊接温度

(℃)

正向电流

(mA)

耗散功率

(mW)

APD-SI-905-2-TO46

TO-46

0.23

0.9×V BR

-40~85

-45~100

260

0.25

100

APD-SI-905-5-TO46

TO-46

0.50

APD-SI-905-8-TO46

TO-46

0.80

APD-SI-905-2-LCC3

LCC3

0.23

APD-SI-905-5-LCC3

LCC3

0.50

 

 

产品型号

 

名称

型号

描述

价格

货期

硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-2-TO46

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.23mm

封装:TO46



硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-5-TO46

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.50mm

封装:TO46



硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-8-TO46

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.80mm

封装:TO46



硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-2-LCC3

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.23mm

封装:LCC3



硅雪崩光电二极管

 

APD-SI-905-5-LCC3

光谱响应范围:400-1100nm

峰值响应波长:905nm

光敏面直径:0.50mm

封装:LCC3



 

 

典型特性曲线


302.png


303.png



304.png


305.png


封装外形、尺寸及引脚定义

APD-SI-2-2/5/8-TO46(三脚和两脚封装)


306.png


APD-SI-2-2/5-LCC3


307.png


308.png


等效电路及应用电路



309.png






310.png






注:C 1 -滤波电容,滤除偏置工作电压 V R 的噪声。

C 2 -旁路电容,为交流信号提供对地回路。

R 1 -限流电阻,防止偏置工作电压 V R 过高时,损坏探测器。

R i -取样电阻,将光电流转化为电压信号。

定购信息:


型号规则


【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】


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