795nmVCSEL发射激光器 PL-VCSEL-795-1-1-SA-14BF 是一款垂直发射的单模二极管激光器，采用 MOVPE（金属有机气相外延）技术生长，以 GaAsP/AlGaAs（砷化镓磷 / 铝镓砷）为材料。该芯片采用 14 引脚蝶形封装，内置 TEC（热电制冷器）和 PD（光电探测器）。通过调节激光电流和温度可实现波长调谐。

1403nm MEMS VCSEL激光二极管 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL）是一种以砷化镓半导体材料为基础研制的半导体激光器，其激光垂直于顶面发射，与发光二极管（LED）和激光二极管（LD）存在本质区别；

763nm 单模VCSEL激光器 （不带TEC,适用于氧气传感） PL-VCSEL-0763-0-A82 型 763nm 垂直腔面发射激光器（VCSEL）是一款垂直出光的激光器，基于金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光芯片制成。

1310 nm单模VCSEL（带TEC） 1310 nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）封装在带有单模光纤尾纤的紧凑同轴外壳中。VCSEL-1310-SM设计用于光纤传感、激光发射器和光通信应用。它需要非常低的驱动电流，并且可以通过内置TEC实现温度稳定。

1550nm VCSEL垂直腔面发射激光器 (带隔离器 1.0mW) 产品总览 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。