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CITLF3 硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器

简要描述:CITLF3 硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器

CITLF3 是一种硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器,用于射电天文学和量子物理应用。当冷却至 12K 或更低时,该放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的频率范围内实现了 4K (0.06dB) 的平均噪声温度。100 MHz 时的噪声温度为 2.5K。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-09-05
  • 访  问  量:113

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组件类别光学元件应用领域综合
参数见参数表

CITLF3 硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器

CITLF3 是一种硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器,用于射电天文学和量子物理应用。当冷却至 12K 或更低时,该放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的频率范围内实现了 4K (0.06dB) 的平均噪声温度。100 MHz 时的zui低噪声温度为 2.5K。典型增益为 33dB,输入/输出回波损耗小于 -10dB。放大器是无条件稳定的。虽然放大器适合 0.01 GHz 至 4 GHz 的频率范围,但该放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 该放大器由单个正直流电源供电,最佳电压为 2.0 V。此偏置下的功耗为 27 mW。然而,在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪声温度。低功耗非常适合以 4K 运行的多放大器阵列。 放大器为 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm,不包括连接器。输入和输出母头 SMA 连接器。

通用参数

主要特点

非常低的噪声,在 10 MHz 至 4 GHz 范围内平均为 4K。

由单个正直流电源供电。

以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪声。

2 针 Winchester DC 连接器。

可选的直流偏置三通。

可选输入保护二极管。

尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。


性能特点@12K

射频频率 0.01 至 4.0GHz

获得

35dB±3dB

噪音温度<4K

噪声系数<0.06dB

最佳直流电源

Vd=2.0V

ID=13.6mA



12 K时的电气规格

Description

Typical

Minimum

Maximum

RF Frequency

射频频率

.03-5 GHz

0.01 GHz

4 GHz

Gain

33 dB

33 dB ± 3 dB

Noise Temperature

噪声温度

< 4 K

2.5 K

4 K

IRL (-20log|S11|)

-12 dB

< -10 dB

ORL (-20log|S22|)

-15 dB

< -10 dB

DC Voltage

直流电压

2.0 V

1.2 V

3 V

DC Current

13.6 mA

2.7 mA

27.4 mA


300 K时的电气规格

Description

Typical

Minimum

Maximum

RF Frequency

.03-5 GHz

0.01 GHz

4 GHz

Gain

30 dB

30 dB ± 5 dB

Noise Temperature

< 60K

40 K

74 K

IRL (-20log|S11|)

-10 dB

< -10 dB

ORL (-20log|S22|)

-15 dB

< -10 dB

DC Voltage

2.0 V

1.2 V

3 V

DC Current

14.6 mA

5.4 mA

27 mA



典型测试结果–12 K时的最佳直流偏压







典型测试结果–12 K时的直流偏压扫描







典型测试结果–12 K时的低频噪声




典型测试结果–12 K时的低频S参数




典型测试结果–12 K时的直流偏压扫描





CAD外壳图纸



CITLF3 硅锗 (SiGe) 低噪声低温放大器

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