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铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏四象限 PD芯片 探测接收模块

简要描述:GD4516YB 是一款高灵敏度大光敏元四象限光电探测模块,其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块

  • 产品型号:
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2022-09-13
  • 访  问  量:30

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

GD4516YB 是一款高灵敏度大光敏元四象限光电探测模块,其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏四象限 PD芯片 探测接收模块

感光规格
800μm Ø
响应度
@1550nm 5 MV/W
技术参数

测试条件:TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V,VAPD=VBR-3V,λ= 1.55μm。

参数名称

最小值

典型值

最大值

单位

工作波长

-

1550

-

nm

光敏面直径

-

800

-

um

象限间隔

-

50

-

um

-3dB 带宽

-

2

-

MHz

最大线性输出电压幅度

-

3

-

Vpp

交流串扰

-

-

5%

-

电压响应度

5

-

-

MV/W

增益一致性

-

-

5%


输入等效噪声功率@2M

-

-

0.15

pW/√Hz


绝对最大额定值

测试条件:TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V, λ= 1.55μm。

参数名称

额定值

单位

贮存温度范围 TSTG

-55~+100

工作温度范围 TC

-30~+70

焊接温度   Tp

260(10s)

TEC 电压 VTEC

7.4±0.74

V

TEC   电流 ITEC

3.2±0.32

A

热敏电阻阻值 Rth

10

工作电压   VCC

±5(±0.1)

V



热敏电阻阻-温特性表

xx1.jpeg

产品符合 GJB 8120-2013《半导体光电模块通用规范》。

贮存使用要求:

储存和使用

● 器件应储存在温度为-10°C~+40°C和相对湿度不大于80%的通风、无腐蚀性气体影响的洁

净环境。

● 储存和使用过程避免外来物理损坏。

静电防护

● 产品为静电敏感器件,在取放、安装过程必须采取相应的静电防护措施,如焊装工具良好接地、人员佩戴防静电手腕,穿戴防静电服、工作台上铺设防静电桌布等。

● 器件安装、上电

● 使用器件时,首先接地,然后开启电源;关闭器件时,首先移除光源,然后断开电源。

● 器件应用时参数设计不应超过其最大额定值。

● 器件测试安装应轻拿轻放,避免引线针及光纤折损。

产品特点

● 正照平面型芯片结构

● 象限间隔小、象限间串扰低

● 增益均匀性高

● 内部集成 TEC 与温度传感器

● 空间光输入

通用参数

封装外形、尺寸及引脚定义(单位:mm;公差:±0.05mm)

2345截图20210522103440.jpeg

附表1 引脚定义

引脚

定义

引脚

定义

1

TEC+

8

VCC

2

OUT2

9

OUT4

3

TEC-

10

GND

4

GND

11

VEE

5

/

12

OUT1

6

OUT3

13

R-

7

GND

14

R+

产品应用

激光定位

激光通信

捕获、跟踪

激光制导


铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏四象限 PD芯片 探测接收模块



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