铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 APD芯片四象限雪崩探测接收模块-筱晓（上海）光子技术有限公司

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光电探测器

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详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

GD4516YB 是一款高灵敏度大光敏元四象限光电探测模块，其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 APD芯片四象限雪崩探测接收模块

感光规格

800μm Ø

响应度

@1550nm 5 MV/W

技术参数

测试条件：TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V,VAPD=VBR-3V,λ= 1.55μm。

参数名称	最小值	典型值	最大值	单位
工作波长	-	1550	-	nm
光敏面直径	-	800	-	um
象限间隔	-	50	-	um
-3dB 带宽	-	2	-	MHz
最大线性输出电压幅度	-	3	-	Vpp
交流串扰	-	-	5%	-
电压响应度	5	-	-	MV/W
增益一致性	-	-	5%
输入等效噪声功率@2M	-	-	0.15	pW/√Hz

绝对最大额定值

测试条件：TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V, λ= 1.55μm。

参数名称	额定值	单位
贮存温度范围 TSTG	-55～+100	℃
工作温度范围 TC	-30～+70	℃
焊接温度 Tp	260（10s）	℃
TEC 电压 VTEC	7.4±0.74	V
TEC 电流 ITEC	3.2±0.32	A
热敏电阻阻值 Rth	10	kΩ
工作电压 VCC	±5(±0.1)	V

热敏电阻阻-温特性表

产品符合 GJB 8120-2013《半导体光电模块通用规范》。

贮存使用要求:

储存和使用

● 器件应储存在温度为-10°C~+40°C和相对湿度不大于80%的通风、无腐蚀性气体影响的洁

净环境。

● 储存和使用过程避免外来物理损坏。

静电防护

● 产品为静电敏感器件，在取放、安装过程必须采取相应的静电防护措施，如焊装工具良好接地、人员佩戴防静电手腕，穿戴防静电服、工作台上铺设防静电桌布等。

● 器件安装、上电

● 使用器件时，首先接地，然后开启电源;关闭器件时，首先移除光源，然后断开电源。

● 器件应用时参数设计不应超过其最大额定值。

● 器件测试安装应轻拿轻放，避免引线针及光纤折损。

产品特点

● 正照平面型芯片结构

● 象限间隔小、象限间串扰低

● 增益均匀性高

● 内部集成 TEC 与温度传感器

● 空间光输入

通用参数

封装外形、尺寸及引脚定义（单位：mm;公差：±0.05mm）

2345截图20210522103440.jpeg

附表1 引脚定义

引脚	定义	引脚	定义
1	TEC+	8	VCC
2	OUT2	9	OUT4
3	TEC-	10	GND
4	GND	11	VEE
5	/	12	OUT1
6	OUT3	13	R-
7	GND	14	R+

产品应用

● 激光定位

● 激光通信

● 捕获、跟踪

● 激光制导

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