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产品分类10mm Ge大光敏面探测器(BNC接口输出)( Ge锗光电二极管) 产品总览 锗光电二极管通常用于测量近红外范围内的光功率,尤其是在成本敏感型应用或需要大面积探测器的应用中。然而,与类似尺寸的 InGaAs 探测器相比,锗探测器的分流电阻较低,暗电流较高,导致整体噪声水平较高。
Ge 锗 大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 5mm) 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。
Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管(800-1800nm 直径 10mm) 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。
Ge大光敏面锗光电二极管 800-1800nm 直径 5mm双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。