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GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm
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product
产品分类
UDT-455UV 光电二极管放大器混合器 200-1100nm Photop™系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops™通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。
更新时间：2025-02-28
产品型号：UDT-455UV-
浏览量：1752
超快Si硅光电二极管探测器,光敏面直径1mm 产品总览 器件为硅PIN 光电二极管，在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm
更新时间：2024-12-08产品型号：浏览量：1800
硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (光敏面直径0.23mm LCC3) 筱晓(上海)光子技术有限公司是一家被上海市评为高新技术企业的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，建有优良的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。
更新时间：2024-12-07产品型号：APD-SI-905-0.23-LCC3浏览量：2082
1064nm 四象限Si光电探测器( 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W) 产品应用 ● 激光瞄准、制导跟踪及探索装置 ● 激光微定位、位移监控等精密测量系统
更新时间：2024-12-05产品型号：浏览量：1886
硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。
更新时间：2024-12-05产品型号：浏览量：2412
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