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product
产品分类
900~1700nm 雪崩式光电探测器（APD）DC~10MHz （砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb） 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外，还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。
更新时间：2025-09-25
产品型号：APD410C/M(DP)
浏览量：1733
800~1700nm 雪崩式光电探测器（APD）直径1.0mm （砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb） 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外，还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。
更新时间：2025-09-25产品型号：APDI-0.8/1.7um-1mm-AG8浏览量：1421
800~1700nm 雪崩式光电探测器（APD）直径 0.05mm （砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb） 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外，还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。
更新时间：2025-09-25产品型号：APDI-0.8/1.7um-0.05mm-AG8浏览量：1379
900~1700nm雪崩式光电探测器（APD） DC~50MHz（砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb） 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外，还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。
更新时间：2025-09-25产品型号：APD130C/M(DP)浏览量：1537
InAsSb 红外光伏探测器 非冷却非浸没 2.3um TO39 产品总览 PVA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求
更新时间：2025-03-08产品型号：PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90浏览量：2025
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