咨询热线

13061644116

当前位置:首页  >  产品展示  >  光电探测器  >  砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb  >  InAs 和 InAsSb 光伏探测器 红外非冷却非浸没 2.15-3.5μm

InAs 和 InAsSb 光伏探测器 红外非冷却非浸没 2.15-3.5μm

简要描述:InAs 和 InAsSb 光伏探测器 红外非冷却非浸没 2.15-3.5μm

PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-09-16
  • 访  问  量:883

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

InAs 和 InAsSb 光伏探测器 红外非冷却非浸没 2.15-3.5μm

PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求

光谱响应
2.15-3.5um
技术参数

产品特点

可探测红外波长范围2-5.5μm

可配专用前置放大器

高温度稳定性与机械耐久性


产品应用

医学热成像

红外光谱分析

中红外激光探测



参数

探测器型号

PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90

PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90

有源元件材料

外延InAs异质结构

外延InAsSb异质结构

最佳波长λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

相对响应强度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

2.95±0.3

4.7±0.3

相对响应强度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

3.5±0.2

5.5±0.2

电流响应度-光敏面长度乘积Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥5×109

≥5×108

时间常数T,ns

≥1.3

≥1.3

电阻R,Ω

≤20

≤60

元件工作温度Tdet,K

≥2K

≥70

感光面尺寸A,mm×mm

0.1×0.1

封装

TO39

接收角Φ

~90°

窗口


探测器光谱响应特性曲线

PVA1.jpeg



TO39型封装外形尺寸图

PVIA1.pngPVIA2.png


InAs 和 InAsSb 光伏探测器 红外非冷却非浸没 2.15-3.5μm

产品咨询

留言框

  • 产品:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 省份:

  • 详细地址:

  • 补充说明:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7