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2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式 InAs 砷化铟 光伏探测器 PVIA系列

简要描述:2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式 InAs 砷化铟 光伏探测器 PVIA系列

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器,通过光学浸没来提升探测器的性能。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-09-16
  • 访  问  量:141

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

2.15-3.5μm 红外非冷却光浸式 InAs 砷化铟 光伏探测器 PVIA系列

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光探测器,通过光学浸没来提升探测器的性能。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求。 

光谱响应
2.15-3.5um
技术参数

产品特点

 可探测红外波长范围2-5.5μm

可配专用前置放大器

高温度稳定性与机械耐久性

带有超半球微型砷化镓透镜以实现光学浸没,提升探测器的性能


产品应用

热成像

FTIR光谱学

激光外差探测

中红外气体分析



参数

探测器型号

PVIA-3

PVIA-5

有源元件材料

外延InAs异质结构

外延InAsSb异质结构

最佳波长λopt(μm)

2.15±0.2

2.3±0.2

峰值波长

Peak wavelength λpeak, µm

2.95±0.3

4.7±0.3

截止波长

Cut-off wavelength λcut-off (10 %), µm

3.5±0.2

5.5±0.2

探测率Detectivity D* (λpeak), cm·Hz1/2/W

≥5×1010

≥5×109

电流响应度Ri (λpeak), A/W


≥1.1

≥1.2

时间常数T,ns

≤20

≤15

电阻R,Ω

PVIA-3≥2K, PVIA-5 ≥70

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封装

TO39

接收角Φ

~36°

窗口


探测器光谱响应特性曲线

PVIA.png


封装及尺寸

TO39型封装外形尺寸图


PVIA1.pngPVIA2.png


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