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  • 硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18

    硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。

    更新时间:2024-12-05
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  • 905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径:0.23mm TO46)

    905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径:0.23mm TO46) 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

    更新时间:2024-12-05
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  • 硅 Si 雪崩光电二极管 905nm  (400-1100nm光敏面直径0.5mm LCC3)

    硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm光敏面直径0.5mm LCC3) 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

    更新时间:2024-12-05
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  • 2mm SI光电探测器 (二极管)

    2mm SI光电探测器 (二极管) 光纤通信、传感、测距 可见光至近红外领域的光探测 快速光脉冲检测 各种工业控制系统。

    更新时间:2024-12-05
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  • 超快SI光电探测器,光敏面直径0.2mm

    超快SI光电探测器,光敏面直径0.2mm 器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。

    更新时间:2024-12-05
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