IRPD5521Y 型 InGaAs 光电二极管模块( PD/APD/TIA 光谱响应 800-16-筱晓（上海）光子技术有限公司

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光电探测器

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详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

IRPD5521Y 型 InGaAs 光电二极管模块( PD/APD/TIA 光谱响应 800-1600nm)

筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。

我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。

为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。

光谱响应

800-1600nm

传输速率

1.25Gbps

技术参数

参数名称	符号	测试条件	最小	典型Typ.	最大	单位
TIA工作电流	ICC	Vcc=3.3V	-	44	59	mA
反向击穿电压1）	VBR	ID=100μA	35	-	55	V
VBR温度系数	σ	γ= dVBR/dTC	-	0.1	0.15	V/℃
差分跨阻 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5	ZT	Pin=-30dBm， RL=100Ω,			54 26 3.6	kΩ
-3dB带宽 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5	f-3dB	Pin=-30dBm			100 1000 2000	MHz
响应度	Re	M=1 , λ = 1.55μm	0.85	0.95	-	A/W
输出阻抗	ZO	Single ended	-	50	70	Ω
灵敏度 IRPD5521Y-155A IRPD5521Y-155P IRPD5521Y-1.25A IRPD5521Y-1.25P IRPD5521Y-2.5A IRPD5521Y-2.5P	PS	λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10, ER=10dB, V=Vop	-47 -39 -35 -28 -34 -26	－	－	dBm
过载功率 APD PIN	PMAX	-5 +3	-		-	dBm
光回损	Lo	λ = 1.55μm	-	-	-30	dB
备注：1）仅适用于APD探测器

最大绝对额定值 T=25deg

参数名称	符号	额定值	单位
TIA电源电压	VCC	5	V
APD反向电压APD	VAPD	VBR	V
APD/PD反向电流	Ir	2	mA
APD/PD正向电流	If	2	mA
工作温度范围	TC	-40 ~ +85	℃
贮存温度范围	TSTG	-55 ~ +100	℃

产品特点

● 传输速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

● 高灵敏度

● 工作波长范围：1260~1650nm

● 单电源供电

● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE标准

● RoHS认证RoHS compliant

通用参数

引脚定义

引脚编号	引脚功能说明	引出端符号
1	信号正输出端	Vout+
2	放大器电源	VCC
3	偏置电压	VAPD
4	信号负输出端	Vout-
5	接地	GND (case)

引脚编号	引脚功能说明	引出端符号
1	信号正输出端	Vout+
2	信号负输出端	Vout
3	接地	-GND (case)
4	放大器电源	VCC

注意事项

a.严格按照引脚说明连接，输出AC耦合时，差分负载应为100Ω

b. 贮运、使用过程中必须采取适当的静电防护措施。

c.器件属于高电压工作器件，使用时应采取适当的设计和措施避免人体受到伤害。

产品应用

● 无源光网络与SDH/SONET传输系统

● 吉比特以太网与光纤信道

● 其它应用Other application

订购信息

型号： IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX

速率□□□□：

0155:155Mbps

1.25:1.25Gbps

2.5:2.5Gbps

探测器类型☆：

A: APD

P: PD

T: TIA

封装XX：

PG:尾纤

TO:TO封装

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