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品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
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应用领域 | 化工,能源,建材,电子 |
IRPD5521Y 型 InGaAs 光电二极管模块( PD/APD/TIA 光谱响应 800-1600nm)
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。
我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上,铟镓砷基底在下),组合波长范围从400到1700 nm。
为了丰富我们的光电二极管产品线,我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型Typ. | 最大 | 单位 |
TIA工作电流 | ICC | Vcc=3.3V | - | 44 | 59 | mA |
反向击穿电压1) | VBR | ID=100μA | 35 | - | 55 | V |
VBR温度系数 | σ | γ= dVBR/dTC | - | 0.1 | 0.15 | V/℃ |
差分跨阻 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
ZT |
Pin=-30dBm, RL=100Ω, |
54 26 3.6 | kΩ | ||
-3dB带宽 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
f-3dB |
Pin=-30dBm | 100 1000 2000 | MHz | ||
响应度 | Re | M=1 , λ = 1.55μm | 0.85 | 0.95 | - | A/W |
输出阻抗 | ZO | Single ended | - | 50 | 70 | Ω |
灵敏度 IRPD5521Y-155A IRPD5521Y-155P IRPD5521Y-1.25A IRPD5521Y-1.25P IRPD5521Y-2.5A IRPD5521Y-2.5P | PS |
λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10, ER=10dB, V=Vop | -47 -39 -35 -28 -34 -26 | - | - | dBm |
过载功率 APD PIN |
PMAX |
-5 +3 | - | - | dBm | |
光回损 | Lo | λ = 1.55μm | - | - | -30 | dB |
备注:1)仅适用于APD探测器 |
最大绝对额定值 T=25deg
参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
TIA电源电压 | VCC | 5 | V |
APD反向电压APD | VAPD | VBR | V |
APD/PD反向电流 | Ir | 2 | mA |
APD/PD正向电流 | If | 2 | mA |
工作温度范围 | TC | -40 ~ +85 | ℃ |
贮存温度范围 | TSTG | -55 ~ +100 | ℃ |
IRPD5521Y 型 InGaAs 光电二极管模块( PD/APD/TIA 光谱响应 800-1600nm)
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