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铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2

简要描述:铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2
2.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻,并在带宽范围内具有出色的响应度。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-09-14
  • 访  问  量:110

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2

2.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻,并在带宽范围内具有出色的响应度。



光谱响应
2.2um
感光规格
3mm Ø
截止波长
2.2±0.1um
带宽(Hz)
300 kHz-1MHz
技术参数

产品特点:

有效直径2mm,3 mm可选

扩展的截止波长2.2μm

高分流电阻

封装形式TO-5


产品应用:

气体检测

碳氢化合物传感

红外光谱

光谱学

SWIR光电探测


技术参数:

电学参数@ 23 ºC ± 2 ºC

参数

GAP2000/2.2

GAP3000/2.2

单位

有效直径

2

3

mm

峰值波长(典型)

2.0 ± 0.1

2.0 ± 0.1

um

截止波长 (50%)

2.2 ± 0.1

2.2 ± 0.1

µm

响应度@ λP(min/typ)

0.9/1.0

0.9/1.0

A/W

分流电阻 (min/typ)

6k/10k

2k/6k

Ω

暗电流(max)

40 @ 1 V

100 @ 1 V

µA

电容 (typ) @ 0 V

4000

8000

pF

带宽 w/ 50 Ω @ 0 V (typ)

0.795

0.397

MHz

上升时间 w/ 50 Ω @ 0 V (typ)

440

881

ns

NEP @ λPEAK (typ)

128 x 10-14

287 x 10-14

W/Hz1/2

线性度 (± 0.2 dB @ 0 V)

6

6

dBm

封装

TO-5

TO-5



最大参数

参数

GAP2000/2.2

GAP3000/2.2

单位

存储温度

-40 to 125

-40 to 125

工作温度

-40 to 85

-40 to 85

反向电压

1

1

V

反向电流

10

10

mA

正向电流

10

10

mA

功耗

50

50

mW


波长响应曲线


406.png


largearea_extended_ingaas_photodiodes.jpg


铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2

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