• 850-910nm 56Gbaud PD Chip φ32um(芯片)

    850-910nm 56Gbaud PD Chip φ32um(芯片) 850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片

    更新时间:2025-12-23
    产品型号:
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  • 850nm 25Gbps GaAs PD Chip φ40um(芯片)

    850nm 25Gbps GaAs PD Chip φ40um(芯片) 850nm GaAs PIN 高速光探测器芯片

    更新时间:2025-12-23
    产品型号:
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  • PD-InGaAs-300/2600-TO461.0~2.6 um扩展型InGaAs光电二极管

    1.0~2.6 um扩展型InGaAs光电二极管 光敏面直径:Φ0.3 mm;工作波长:波段 1.0~2.6 um;峰值波长:2.2 um;峰值量子效率:≥70%;峰值响应率:≥1.2 A/W

    更新时间:2025-08-11
    产品型号:PD-InGaAs-300/2600-TO46
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  • MBD-100M-B-FC/APCSi平衡探测器 100MHz 400-1100nm FC/APC

    Si平衡探测器 100MHz 400-1100nm FC/APC Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点,可以有效的减少信号的共模噪声,提高系统的信噪比。

    更新时间:2025-09-04
    产品型号:MBD-100M-B-FC/APC
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  • BAPD-100M-B-FC/APC400-1100nm Si雪崩平衡探测器 100MHz

    400-1100nm Si雪崩平衡探测器 100MHz Si雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿;隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响;APD温度补偿提高探测模块的稳定性。

    更新时间:2025-08-11
    产品型号:BAPD-100M-B-FC/APC
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