• 3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe

    3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电探测器,具有优秀的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到它本身能达到的的佳性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

    更新时间:2024-12-05
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  • 10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um光电探测器

    10Gbps InGaAs PIN 1x4 Array PD Chip φ50um光电探测器 InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

    更新时间:2025-11-10
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  • 100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um光电

    100Gbaud InGaAs PIN 1×4 Array PD Chip φ10um光电探测器 InGaAs PIN高速光探测器阵列芯片

    更新时间:2025-11-10
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    2.5Gbps InGaAs APD Chip For OLTOTDR φ50um(光电探测器) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-11-11
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  • High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um(探测器)

    High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um(探测器) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-11-13
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