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Ge 锗光电二极管探测器 800-1800nm

简要描述:Ge 锗光电二极管探测器 800-1800nm通过把光功率转换成电流,是您测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。探测器是带有阳极和阴极的陶瓷。光电二极管阳极产生电流,电流是入射光功率和波长的函数。

  • 产品型号:GE-10X10-0.95
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2022-08-08
  • 访  问  量:158

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

筱晓光子的锗光电二极管通过把光功率转换成电流,是您测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。探测器是带有阳极和阴极的陶瓷。光电二极管阳极产生电流,电流是入射光功率和

波长的函数。响应度R(λ)可以从下一页的图中读取,以估计光电流的量。通过将负载电阻器(RL)从光电二极管阳极连接到电路接地,可以将电流转换为电压。其中P是功率,输出电压用下式表示

ge4.png

带宽fBW和上升时间响应tR由二极管电容CJ,以及负载电阻RL决定,

如下所示。通过在光电二极管阴极和电路接地之间施加偏置电压,可以降低二极管电容。

ge5.png

产品特点

有效面积大

上升时间快

响应度高

尺寸规格

ge3.png

产品应用

功率测试

光纤传感

测试测量

技术参数

技术参数

符号

指标

响应波长范围

λ

800   - 1800 nm

峰值波长

λP

1550   nm (Typ.)

响应度a

R(λ)

0.95   A/W (Typ.)

有效面积


10   mm x 10 mm

上升/下降时间(RL=50 Ω, 1 V)

tr/tf

10   μs (Typ.)

NEP   (1550 nm)b


4.0   x 10-12 W/√Hz (Typ.)

暗电流(0.3 V)

Id

50   µA (Max)

电容(1 V)

电容(0V)

Cj

80   nF (Typ.)

135   nF (Typ.)

并联电阻

Rshunt

2   kΩ (Min)

包装材料


陶瓷

传感器材料


Ge

备注:

所有测量均在25℃的环境温度下进行。

a、 峰值波长规定的响应度

b、 NEP在光伏模式下

锗光电二极管上的引线通过导电树脂连接到探测器上,因为焊接会损坏探测器。因此接合部位容易损坏,在夹持此产品时请务必小心,以免损坏引线。

最大值参数

最大偏置(反向)电压

1 V

反向电流

10 mA

工作温度

-40 to 85 ℃

存储温度

-40 to 125 ℃


推荐电路连接

ge1.png

光谱响应图

ge2.jpg




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