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美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器

简要描述:美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器:材料:InGaAs 上升/下降时间:<28ps/<28ps; 响应度:0.9A/W@2000nm; 带宽:>10GHz; 有效面积直径:40um; 输出连接:SMA 光纤连接,FC/UPC

  • 产品型号:ET-5000F
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2021-12-13
  • 访  问  量:55

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域医疗卫生,生物产业,地矿
美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器 总览

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品

EOT 的 >10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 EOT 的 >10 GHz 光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的 SMA 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。



美国EOT InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器 技术参数

特征

占地面积小

内部电压偏置

直流至 22 GHz


选项

可以订购可选的壁挂式电源

提供光纤耦合或自由空间选项

探测器材质


应用

监控调Q激光器的输出

监控锁模激光器的输出

监测外部调制连续激光器的输出

高频、外差应用

时域和频率响应测量

ET-5000 - >10 GHz 2 µm 扩展 InGaAs 光电探测器

零件号
(型号)
120-10105-0001
(ET-5000)
120-10104-0001
(ET- 5000F )
探测器材质铟镓砷铟镓砷
上升时间/下降时间
28 ps/28 ps
28 ps/28 ps
响应度一
1.3  A/W在 2000 nm
0.95  A/W 在 2000 nm
电源
3伏
3伏
带宽
>10 GHz
>10 GHz
有效面积直径
40 微米
40 微米
暗电流
<1  µA
<1  µA
接受角(1/2角)
20 °
不适用
噪声等效功率b
15  pW/ √Hz在 2000 nm
20  pW/ √Hz在 2000 nm
最大线性额定 CW
3毫安
3毫安
安装(螺纹孔)
8-32 或 M4
8-32 或 M4
输出连接器
SMA
SMA
光纤连接c
不适用
FC/UPC

产品规格可能会发生变化。所有产品均符合 RoHS 标准。
a光电探测器有一个内部 50 Ω 终端。响应数据仅适用于二极管。检测器输出应根据图表所示响应度的 1/2 确定。
b 噪声等效功率 (NEP) 由开路输出确定。
c 多模光纤可用。可能会限制带宽。
注意: 除非另有说明,否则所有规格均适用于 50 Ω 端接。



SPECIFICATIONS

型号

120-10058-0001

(ET-3500)

120-10068-0001

(ET-3500F)

120-10071-0001

(ET-4000)

120-10081-0001

(ET-4000F)

120-10105-0001

(ET-5000)

120-10104-0001

(ET-5000F)

120-10140-0001

(ET-3600)

120-10142-0001

(ET-3600F)

材料

InGaAs

InGaAs

GaAs

GaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

上升时间/下降时间

<25 ps/<25 ps

<25 ps/<25 ps

<30 ps/<30 ps

<30 ps/<30 ps

28 ps/28 ps

28 ps/28 ps

16 ps/16 ps

16 ps/16 ps

响应度

>0.90 A/W

at 1300 nm

>0.65 A/W at

1300nm

0.53 A/W

at 830 nm

0.38 A/W

at 830 nm

1.3 A/W

at 2000 nm

0.95 A/W

at 2000 nm

>0.70 A/W

at 1300 nm

>0.70 A/W

at 1300 nm

电源

6 VDC

6 VDC

3 VDC

3 VDC

3 VDC

3 VDC

3 VDC

3 VDC

波段

>15 GHz

>15 GHz

>12.5 GHz

>12.5 GHz

>10 GHz

>10 GHz

>22 GHz

>22 GHz

有效面积直径

32µm

32 µm

60 µm

60 µm

40 µm

40 µm

20 µm

20 µm

暗电流

<3 nA

<3 nA

<0.5 nA

<0.5 nA

<1 µA

<1 µA

<1 nA

<1 nA

接受角

15⁰

N/A

15⁰

N/A

20⁰

N/A

15⁰

N/A

噪声等效功率

20 pW/√Hz

at 1300 nm

28 pW/√Hz

at 1300 nm

35 pW/√Hz

at 830 nm

45 pW/√Hz

at 830 nm

15 pW/√Hz

at 2000 nm

20 pW/√Hz

at 2000 nm

26 pW/√Hz

at 1300 nm

26 pW/√Hz

at 1300 nm

CW 最大线性额定值

10 mW

10 mW

10 mW

10 mW

3 mA

3 mA

10 mW

10 mW

安装(螺纹孔)

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

输出连接器

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

SMA

纤连接

N/A

FC/UPC,

SMF28e

N/A

FC/UPC,

SMF28e

N/A

FC/UPC

N/A

FC/UPC,

SMF28e


产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。

光电探测器具有内部50Ω终端。响应度数据仅适用于二极管。探测器输出应根据图中所示响应度的1/2确定。

噪声等效功率(NEP)通过开路输出确定。

c多模光纤可用。可能会限制带宽。

注:除非另有说明,否则所有规范均适用于50Ω终端。



222.jpg



技术参数

特征

占地面积小

内部电压偏置

直流至 22 GHz


选项

可以订购可选的壁挂式电源

提供光纤耦合或自由空间选项

探测器材质


应用

监控调Q激光器的输出

监控锁模激光器的输出

监测外部调制连续激光器的输出

高频、外差应用

时域和频率响应测量



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