铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (25MHz)
铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽,固定增益的光电探测器,用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入,输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔,可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈,这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用,可以方便适配外部光学部件,如滤光片,衰减片,镜头,FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源,该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (25MHz)
通用参数
![搜狗截图20220217135438.png](https://img70.chem17.com/gxhpic_758028e564/d95b6bad86613d335bfa044863ffae6d88b40603fe3c36a95e7d698d6eb36d885fc256f758d322b0.png)
产品特点:
低噪声,小于±lmV
过冲小,过冲电压小于2.5%
增益稳定:增益误差小于1%
暗偏置电压输出噪声:小于ImV (rms)
应用领域:
•显示面板检测
•LED照明频闪分析
•玩具灯闪烁频率及功率测量
•气体分析
参数
PN# | PDA M 005B- Si | PDA M 36A5B6G- SI | PDA M 20A6B4G- InGaAs |
电器特性 |
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输入电压 | ±9VDC, 60mA | ±9VDG 100mA | ±9VDC. 100mA |
探头 | Silicon PIN | Silicon PIN | InGaAs PIN |
感光面 | 2.65mm * 2.65mm | 3.6mm * 3.6mm | Diameters@2 mm |
波长 | 400 nm - 1100 nm | 320 nm - 1100 nm | 800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可选扩展) 2600nm) |
峰值响应 | 0.62A/W @850nm | 0.6 A/W @960nm | 0.9 A/W@1550nm |
| 43.6mV/uW @850nm | 1 mV/nW @960nm | 9mV/uW@1550nm |
饱和光功率 | 113pW@ 850nm (Hi-Z) | 6uW @960nm (Hi-Z) | 660 uW@1550nm (Hi-Z) |
芾宽 | DC •-5MHz | DC - 200kHz | DC - 5MHz |
NEP | 7.2 pW/4HZ1/2 | 2.2 pW/HZ1/2 | 64.5 pW/HZ1/2 |
输出噪声(RMS) | 700 uV | 1 mV ・typ | 1.3 mV .typ |
暗电流偏置(MAX) | ±5 mV | ±1 mV | ±5 mV |
上升沿/下降沿(10%—90%) | 65 ns | 1.7 us | 68ns |
输出电压 |
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Hi-Z | 0- SV (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) | 0-6V (Hi-Z) |
500 | 0 • 2.5V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) | 0 • 25V (50ohm) |
增益倍数 |
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Hi-Z | 67.5 kV/A | 1.68 MV/A | 10 kV/A |
50Q | 33.8 kV/A | 0.84 MV/A | 5kV/A |
增益精度(typ) | ±1% | ±1% | ±1% |
其他参数 |
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| 拨动开关 | 拨动开关 | 拨动开关 |
输出接口 | BNC | BNC | BNC |
尺寸 | 53*50*50mm | 53*50*50mm | 53*50*50mm |
重量 | 150g | 150g | 150g |
操作温度 | 10-50deg | 10-50deg | 10-50deg |
存储温度 | ・25°C - 70°C | -25°C - 70°C | -25°C - 70°C |
铟镓砷光电探测器,带放大,固定增益型号参考
型号 | 波长 | 带宽 | 上升时间 | 增益 | RMS噪声 | NEP | 感应面 | 工作温度 | 电源 |
Hi-Z 负载 | 50Ω 负载 |
PDA10A8B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 140MHz | 2.5 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 760µV .typ | 4.8*10-12 W/√HZ | ф1 mm | 10-50℃ | 包含(±9V) |
PDA05A7B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 25MHz | 14 nS | 1.2*104 V/A | 6*103 V/A | 1mV .typ | 1.9*10-11 W/√HZ | ф0.5 mm | 10-50℃ | 包含(±9V) |
PDA10A7B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 12MHz | 29 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 800µV .typ | 2.6*10-11 W/√HZ | ф1 mm | 10-50℃ | 包含(±9V) |
PDA20A6B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 5MHz | 70 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 1.3mV .typ | 6.5*10-11 W/√HZ | ф2 mm | 10-50℃ | 包含(±9V) |
PDA30A6B4G-NIR | 800 - 1700 nm | DC - 2MHz | 175 nS | 1*104 V/A | 5*103 V/A | 800µV .typ | 6.3*10-11 W/√HZ | ф3 mm | 10-50℃ | 包含(±9V) |
![](https://img70.chem17.com/gxhpic_758028e564/d95b6bad86613d335bfa044863ffae6d74e22a61d53259e2ef9320e467d0b0cae6b7c251d9f276a2.png)
![](https://img70.chem17.com/gxhpic_758028e564/d95b6bad86613d335bfa044863ffae6d05f1aa017d8daf8200bf10da9c4a72ce27ae229eac33bb76.png)
![](https://img70.chem17.com/gxhpic_758028e564/d95b6bad86613d335bfa044863ffae6d487416f8dd17662cd8b691b1e7b59f451fbfbf5a6208fd4f.png)
外观及安装使用
![](https://img70.chem17.com/gxhpic_758028e564/d95b6bad86613d335bfa044863ffae6dba09534b61881a095b0c35716a352efeedc933b12d25fc49.png)
测试案列:
测试光源:
PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA
SN:DO3431e-q2-Bo2-A19
测试条件:25℃、激光器电流扫描15-23mA,探测器输出如下图。
![](https://img70.chem17.com/gxhpic_758028e564/d95b6bad86613d335bfa044863ffae6d10ca31a41e089c507c2368d6924ddbae44c2b36ff1ca7eac.png)
此款探测器在972nm时,探测精度高,微弱光(几十微瓦)也可以探测到。
尺寸图
![](https://img70.chem17.com/gxhpic_758028e564/d95b6bad86613d335bfa044863ffae6df2f720a4369dae9f5b6592cb37adf70c315ba462a05c183e.png)
![](https://img70.chem17.com/gxhpic_758028e564/d95b6bad86613d335bfa044863ffae6df3630f81ab1c65d4837ddb3e64d25f114fae528637c7175e.png)
铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (12MHz)