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铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (2MHz)

简要描述:铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (140MHz)铟镓砷(InGaAs)光电探测器是一种额定带宽,固定增益的光电探测器,用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入,输出通过BNC以电压形式输出。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-09-09
  • 访  问  量:87

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (2MHz)

通用参数

搜狗截图20220217135438.png


产品特点:

低噪声,小于±lmV

过冲小,过冲电压小于2.5%

增益稳定:增益误差小于1%

暗偏置电压输出噪声:小于ImV (rms)


应用领域:

•显示面板检测

•LED照明频闪分析

•玩具灯闪烁频率及功率测量

•气体分析


参数

PN#

PDA  M  005B-  Si

PDA  M  36A5B6G-  SI

PDA  M  20A6B4G-  InGaAs

电器特性




输入电压

±9VDC, 60mA

±9VDG 100mA

±9VDC. 100mA

探头

Silicon PIN

Silicon PIN

InGaAs PIN

感光面

2.65mm * 2.65mm

3.6mm * 3.6mm

Diameters@2 mm

波长

400 nm - 1100 nm

320 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm(Optional   Extended(可选扩展)   2600nm)

峰值响应

0.62A/W @850nm

0.6 A/W @960nm

0.9 A/W@1550nm


43.6mV/uW @850nm

1 mV/nW @960nm

9mV/uW@1550nm

饱和光功率

113pW@ 850nm (Hi-Z)

6uW @960nm (Hi-Z)

660 uW@1550nm (Hi-Z)

芾宽

DC •-5MHz

DC - 200kHz

DC - 5MHz

NEP

7.2 pW/4HZ1/2

2.2 pW/HZ1/2

64.5 pW/HZ1/2

输出噪声(RMS)

700 uV

1 mV ・typ

1.3 mV .typ

暗电流偏置(MAX)

±5 mV

±1 mV

±5 mV

上升沿/下降沿(10%—90%)

65 ns

1.7 us

68ns

输出电压




Hi-Z

0- SV (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

500

0 • 2.5V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

增益倍数




Hi-Z

67.5 kV/A

1.68 MV/A

10 kV/A

50Q

33.8 kV/A

0.84 MV/A

5kV/A

增益精度(typ)

±1%

±1%

±1%

其他参数





拨动开关

拨动开关

拨动开关

输出接口

BNC

BNC

BNC

尺寸

53*50*50mm

53*50*50mm

53*50*50mm

重量

150g

150g

150g

操作温度

10-50deg

10-50deg

10-50deg

存储温度

・25°C - 70°C

-25°C - 70°C

-25°C - 70°C

 


铟镓砷光电探测器,带放大,固定增益型号参考


型号波长带宽上升时间增益RMS噪声NEP感应面工作温度电源
Hi-Z 负载50Ω 负载
PDA10A8B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 140MHz2.5 nS1*10V/A5*103 V/A760µV .typ4.8*10-12 W/√HZф1 mm10-50℃包含(±9V)
PDA05A7B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 25MHz14 nS1.2*10V/A6*103 V/A1mV .typ1.9*10-11 W/√HZф0.5 mm10-50℃包含(±9V)
PDA10A7B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 12MHz29 nS1*10V/A5*103 V/A800µV .typ2.6*10-11 W/√HZф1 mm10-50℃包含(±9V)
PDA20A6B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 5MHz70 nS1*10V/A5*103 V/A1.3mV .typ6.5*10-11 W/√HZф2 mm10-50℃包含(±9V)
PDA30A6B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 2MHz175 nS1*10V/A5*103 V/A800µV .typ6.3*10-11 W/√HZф3 mm10-50℃包含(±9V)








外观及安装使用




测试案列:

测试光源:

PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA

SN:DO3431e-q2-Bo2-A19

测试条件:25℃、激光器电流扫描15-23mA,探测器输出如下图。



此款探测器在972nm时,探测精度高,微弱光(几十微瓦)也可以探测到。



尺寸图





铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (2MHz)

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