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硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT

简要描述:硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT
筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品

EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-09-19
  • 访  问  量:439

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

硅 Silicon  ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品

EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。硅 Silicon  ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT


带宽(Hz)
>2 GHz
技术参数

特征:

占地面积小

内部电压偏置

直流至 2 GHz

选项

可提供外墙插入式电源

提供光纤耦合或自由空间选项

探测器材质

应用

监控调Q激光器的输出

监控锁模激光器的输出



规格

型号

120-10011-0001 (ET-2030)

120-10028-0001 (ET-2040)

120-10133-0001 (ET-2060)

120-10134-0001 (ET-2070)

120-10034-0001 (ET-3000)

120-10050-0001 (ET-3010)

探测器材料

Silicon

Silicon

Silicon

Silicon

InGaAs

InGaAs

Rise Time/Fall Time

上升/下降时间

<300 ps/<300 ps

<30 ns/<30 ns

<320 ps/<320 ps

3 ns/3 ns

<175 ps/<175 ps

<175 ps/<175 ps

响应度

0.47 A/W at 830 nm

0.6 A/W at 830 nm

0.47 A/W at 830 nm

0.56 A/W at 830 nm

0.9 A/W at 1300 nm

0.9 A/W at 1300 nm

电源

9 VDC

24 VDC

9 VDC

24 VDC

6 VDC

6 VDC

带宽

>1.2 GHz

>25 MHz

>1.1 GHz

>118 MHz

>2 GHz

>2 GHz

Active Area Diameter

有效面积直径

0.4 mm

4.57 mm

0.4 mm

2.55 mm

100 µm

100 µm

Dark Current 暗电流

<0.1 nA

<10 nA

<0.1 nA

<10 nA

<2.0 nA

<3.0 nA

Acceptance Angle

(1/2 angle)接受角(1/2角)

10⁰

60⁰

N/Aa

50⁰

20⁰

N/Aa

Noise Equivalent

Power

噪声等效功率

<0.01 pW/√ Hz

<0.09 pW/√ Hz

<0.01 pW/√ Hz

<0.10 pW/√ Hz

<0.03 pW/√ Hz

<0.03 pW/√ Hz

Maximum Linear

Rating

最大线性额定值

CW current: 3 mA Pulse current: 3 mA

CW current: 2 mA Optical input: 3 mW

CW current: 3 mA Optical input: 3 mA

CW current: 2.5 mA Pulse current: 15 mA

CW   current: 5 mA

CW   current: 5 mA

Mounting

(Tapped Holes)

安装(螺纹孔)

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

8-32 or M4

Output Connector

输出连接器

BNC

BNC

BNC

BNC

BNC

BNC




产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。

a包括FC插座


111.jpg



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