铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美国EOT PDET-5000--筱晓（上海）光子技术有限公司

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光电探测器

单光子探测器/计数器光电倍增管其他光电探测器 Ge锗光电探测器 Ge锗光电二极管砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb InP磷化铟光电探测器 Si硅光电探测器 Si硅光电二极管 InGaAs铟镓砷光电二极管 InGaAs铟镓砷光电探测器 MCT碲镉汞探测器

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详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	化工,能源,建材,电子

本系列其它产品型号共22条

名称	型号	描述	参数
硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT	ET-2060 E80040616	材料：Silicon 上升／下降时间：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ；响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１．１ＧＨｚ；有效面积直径：０．４ｍｍ；输出连接：BNC；工作温度：-20 - 50℃；	带宽(Hz): >1.1 GHz
硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器＞25MＨz 美国EOT	ET-2040 E80040617	材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ；响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞２５ＭＨｚ；有效面积直径：４.５７ｍｍ；输出连接：BNC	带宽(Hz): >25 MHz
硅 Silicon ET-2030 高速硅光电探测器＞１.２ＧＨｚ美国EOT	ET-2030 E80040619	材料：Silicon 上升／下降时间：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ；响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１.２ＧＨｚ；有效面积直径：０.４ｍｍ；输出连接：BNC	带宽(Hz): >1.2 GHz
硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT	ET-2070 E80040615	材料：Silicon；上升／下降时间：＜3ns／＜3ns；响应度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ；带宽：＞118MHz；有效面积直径：2.55ｍｍ；输出连接：BNC	带宽(Hz): 118 MHz
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, >15 GHz 美国EOT	ET-3500 E80040614	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞１５ＧＨｚ；有效面积直径：３２ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接不适用	带宽(Hz): ＞15 GHz
硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT	ET-2030A E80040618	材料：Silicon硅上升／下降时间：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ；转换增益：450 V/W ＠830 nm 带宽：30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径：４００ｕｍ；输出连接：ＢＮＣ	带宽(Hz): 30 kHz-１.2 GHz
铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT(停产)	ET-3500A E80040612	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜35ps／＜35ps；带宽：20 kHz 至 10 GHz；有效面积直径：３２ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ；停产	带宽(Hz): ＞15 GHz
铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT	ET-3000A E80040613	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ；转换增益：900 V/W ＠1300 nm 带宽：30 kHz to １.５GHz 有效面积直径：１００ｕｍ；输出连接：ＢＮＣ	带宽(Hz): 30 kHz-１.５GHz
铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz 美国EOT（已经停产）	ET-5000A E80040611	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；转换增益：3250 V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ	带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz
砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT	ET-4000A E80040622	材料：GaAs ；上升／下降时间：＜35ps ／＜35ps ；转换增益：1340 V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：60um；输出连接：SMA	带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz
铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000AF 砷化镓 (已停产下架)	ET-5000AF E80040610	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；转换增益：２３５０ V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ	带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz
砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT（已经停产）	ET-4000AF E80040621	材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；转换增益：９７０V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ	带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz
铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500AF 美国EOT(已停产下架)	ET-3500AF E80040609	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ；转换增益：1620 V/W ＠1310 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：３２ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ	带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, >15 GHz 美国EOT	ET-3500F E80040608	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ；响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞１５ＧＨｚ；有效面积直径：３２ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接 FC/UPC；SMF28e	带宽(Hz): ＞15 GHz
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, >22 GHz 美国EOT	ET-3600 E80040607	材料：InGaAs；上升／下降时间：＜16ps ／＜16ps；响应度：0.7A／Ｗ＠1300ｎｍ；带宽：＞22ＧＨｚ；有效面积直径：20ｕｍ；输出连接：SMA ；光纤连接不适用	带宽(Hz): >22 GHz
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT	ET-3600F E80040606	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ；响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞22ＧＨｚ；有效面积直径：20ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接 FC/UPC、SMF28e	带宽(Hz): >22 GHz
砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT	ET-4000 E80040620	材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１２．５ＧＨｚ；有效面积直径：６０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接c 不适用	带宽(Hz): ＞12.5 GHz
砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT	ET-4000F E80040605	材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ；响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ；带宽：＞１２．５ＧＨｚ；有效面积直径：６０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接 FC/UPC、SMF28e	带宽(Hz): ＞12.5 GHz
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美国EOT	ET-5000 E80040604	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；带宽：＞１０ＧＨｚ；有效面积直径：４０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接；不适用	带宽(Hz): ＞10 GHz
铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT	ET-5000F E80040603	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ；响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ；带宽：＞１０ＧＨｚ；有效面积直径：４０ｕｍ；输出连接：ＳＭＡ光纤连接；FC/UPC	带宽(Hz): ＞10 GHz
铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT	ET-3000 E80040602	材料：铟镓砷上升／下降时间：＜175ps / ＜175ps；响应度： 0.9A/ W@1300nm；带宽：＞２ＧＨｚ；有效面积直径：100um；输出连接：BNC；	带宽(Hz): >2 GHz
铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT	ET-3010 E80040601	材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ；响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ；带宽：＞２ＧＨｚ；有效面积直径：１００ｕｍ；输出连接：BNC	带宽(Hz): >2 GHz

产品总览

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品

EOT 的 >10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。当端接到示波器的 50 Ω 电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时，可以测量激光器的频率响应。 EOT 的 >10 GHz 光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的 SMA 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。

铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美国EOT ,铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美国EOT

型号参数

特征

占地面积小

内部电压偏置

直流至 22 GHz

选项

可以订购可选的壁挂式电源

提供光纤耦合或自由空间选项

探测器材质

应用

监控调Q激光器的输出

监控锁模激光器的输出

监测外部调制连续激光器的输出

高频、外差应用

时域和频率响应测量

ET-5000 - >10 GHz 2 µm 扩展 InGaAs 光电探测器

零件号（型号）	120-10105-0001 (ET-5000)	120-10104-0001 (ET- 5000F )
探测器材质	铟镓砷	铟镓砷
上升时间/下降时间	28 ps/28 ps	28 ps/28 ps
响应度一	1.3 A/W在 2000 nm	0.95 A/W 在 2000 nm
电源	3伏	3伏
带宽	>10 GHz	>10 GHz
有效面积直径	40 微米	40 微米
暗电流	<1 µA	<1 µA
接受角（1/2角）	20 °	不适用
噪声等效功率b	15 pW/ √Hz在 2000 nm	20 pW/ √Hz在 2000 nm
最大线性额定 CW	3毫安	3毫安
安装（螺纹孔）	8-32 或 M4	8-32 或 M4
输出连接器	SMA	SMA
光纤连接c	不适用	FC/UPC

产品规格可能会发生变化。所有产品均符合 RoHS 标准。
a光电探测器有一个内部 50 Ω 终端。响应数据仅适用于二极管。检测器输出应根据图表所示响应度的 1/2 确定。
b 噪声等效功率 (NEP) 由开路输出确定。
c 多模光纤可用。可能会限制带宽。
注意：除非另有说明，否则所有规格均适用于 50 Ω 端接。

SPECIFICATIONS
Part No. (Model)型号	120-10058-0001 (ET-3500)	120-10068-0001 (ET-3500F)	120-10071-0001 (ET-4000)	120-10081-0001 (ET-4000F)	120-10105-0001 (ET-5000)	120-10104-0001 (ET-5000F)	120-10140-0001 (ET-3600)	120-10142-0001 (ET-3600F)
Detector Material 材料	InGaAs	InGaAs	GaAs	GaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs	InGaAs
Rise Time/Fall Time	<25 ps/<25 ps	<25 ps/<25 ps	<30 ps/<30 ps	<30 ps/<30 ps	28 ps/28 ps	28 ps/28 ps	16 ps/16 ps	16 ps/16 ps
Responsivitya 响应度	>0.90 A/W at 1300 nm	>0.65 A/W at 1300nm	0.53 A/W at 830 nm	0.38 A/W at 830 nm	1.3 A/W at 2000 nm	0.95 A/W at 2000 nm	>0.70 A/W at 1300 nm	>0.70 A/W at 1300 nm
Power Supply 电源	6 VDC	6 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC	3 VDC
Bandwidth 波段	>15 GHz	>15 GHz	>12.5 GHz	>12.5 GHz	>10 GHz	>10 GHz	>22 GHz	>22 GHz
Active Area Diameter 有效面积直径	32µm	32 µm	60 µm	60 µm	40 µm	40 µm	20 µm	20 µm
Dark Current 暗电流	<3 nA	<3 nA	<0.5 nA	<0.5 nA	<1 µA	<1 µA	<1 nA	<1 nA
Acceptance Angle (1/2 angle) 接受角	15⁰	N/A	15⁰	N/A	20⁰	N/A	15⁰	N/A
Noise Equivalent Powerb 噪声等效功率	20 pW/√Hz at 1300 nm	28 pW/√Hz at 1300 nm	35 pW/√Hz at 830 nm	45 pW/√Hz at 830 nm	15 pW/√Hz at 2000 nm	20 pW/√Hz at 2000 nm	26 pW/√Hz at 1300 nm	26 pW/√Hz at 1300 nm
Maximum Linear Rating CW 最大线性额定值	10 mW	10 mW	10 mW	10 mW	3 mA	3 mA	10 mW	10 mW
Mounting (Tapped Holes) 安装（螺纹孔）	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4
Output Connector 输出连接器	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA	SMA
Fiber Optic Connectionc 光纤连接	N/A	FC/UPC, SMF28e	N/A	FC/UPC, SMF28e	N/A	FC/UPC	N/A	FC/UPC, SMF28e

产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。

光电探测器具有内部50Ω终端。响应度数据仅适用于二极管。探测器输出应根据图中所示响应度的1/2确定。

噪声等效功率（NEP）通过开路输出确定。

c多模光纤可用。可能会限制带宽。

注：除非另有说明，否则所有规范均适用于50Ω终端。

铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美国EOT PD

公司简介
筱晓(上海)光子技术有限公司成立于2014年,是一家被上海市评为高新技术企业和拥有上海市专精特新企业称号的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，公司位于大虹桥商务板块，拥有接近2000m²的办公区域，建有500平先进的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。十年来,依托专业、强大的技术支持，以及良好的商务支持团队，筱晓的业务范围正在逐年增长。目前业务覆盖国内外各著名高校、顶级科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室，奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。
主要经营
激光器/光源
半导体激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子级联激光器、FP激光器、VCSEL激光器）
气体激光器（HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器）
光纤激光器（连续激光器、超短脉冲激光器）
光学元件
光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件
激光分析设备
高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪，激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等
光纤处理设备
光纤拉锥机、裸光纤研磨机。