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InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-1.2G-A

简要描述:InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-1.2G-A

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2023-03-29
  • 访  问  量:111

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组成要素半导体激光器产品及设备产地类别进口
应用领域化工,建材,电子

超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电,输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出, 在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一,很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。

InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-1.2G-A InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-1.2G-A
通用参数

产品特点            

噪声超低

高增益

高带宽

结构紧凑

内置低噪隔离电源


           

产品应用            

光纤传感

光纤通信

激光测距

光谱测量

ns 级光脉冲探测


           

参数            

产品型号

UPD-100M-A

UPD-200M-A

UPD-300M-A

UPD-400M-A

UPD-500M-A

UPD-600M-A

UPD-800M-A

UPD-1G-A

UPD-1.2G-A

UPD-1.5G-A

UPD-2G-A

UPD-2.5G-A

UPD-5G-A

单位

探测器类型

InGaAs


波长

800~1700

nm

带宽

100M

200M

300M

400M

500M

600M

800M

1G

1.2G

1.5G

2G

2.5G

5G

Hz

探测器响应度

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

A/W@1550nm

跨阻增益

30K

30K

30K

20K

15K

15K

30K

30K

30K

30K

30K

30K

6K

V/W

饱和光功率

140

140

140

420

280

280

140

140

140

420

140

140

700

μW

NEP

2.2

2.2

2.2

2.7

3.1

3.1

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

pW/Sqrt(Hz)

输出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

Ω

输出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

DC

AC

AC

AC

AC

AC

AC

AC


供电电压

5

5

5

5

5

12

12

12

12

12

12

12

12

V

供电电流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.3

A

光学输入

FC/APC(自由空间光可选)

FC/APC


射频输出

SMA

SMA


外形尺寸

65*50*20

65*50*25

80*90*25

mm


           


           

测试结果            

           


           


           

300MHz超低噪声单元探测器


           


           

           


           

超低噪单元探测器与常规单元探测器底噪对比


   










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