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大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片(高增益版 光敏直径200um 最大增益50)

简要描述:大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片(高增益版 光敏直径200um 最大增益50)大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片(高增益版 光敏直径200um 最大增益50)大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片(高增益版 光敏直径200um 最大增益50)

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2023-06-13
  • 访  问  量:709

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组件类别光学元件应用领域综合
参数见参数表
总览

高性能正照平面型结构的InGaAs APD 光电二极管芯片系列,具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点,可用于人眼安全激光雷达等领域。可提供APD 裸芯、TO 封装, 接受定制化服务开发。产品符合Telcordia-GR-468-CORE  可靠性要求。


大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片(高增益版 光敏直径200um 最大增益50) 大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片(高增益版 光敏直径200um 最大增益50)
产品特点

光谱响应范围 0.9 ~1 .7 μm

光敏面直径 200μm

高响应度、低暗电流

高可靠性

产品应用

人眼安全激光雷达、激光测距

光时域反射计(OTDR)

空间光通信

仪器仪表

光纤传感

通用参数

使用注意事项

采取必要的ESD 防护措施,以避免静电损伤

InP 基的芯片易碎,取用时应注意操作,推荐用真空吸附工具



芯片级光电参数

产品型号

OVQT-A200M50

参数

符号

单位

测量条件

最小

典型

最大

光敏面直径

Φ

μm

-

200

单位增益响应度

Re

A/W

λ = 1.55μm, Pin = 1 μW

0.95

1.05

-

增益

M

-

VR =VBR -3V

10

18

-

最大增益

 Mmax

 -

 VR =VBR - 1V

 45

 50

 -

暗电流

ID

A

VR =VBR -3V

-

6.0

25

暗电流温度系数

 ΔTID

 /℃

VR=VBR-3V ,-40℃ ~85℃

 -

 -

 1.1

电容

Ct

F

VR =VBR-3V, f=1MHz

-

2.0

2.5

-3dB 带宽

f-3dB

GHz

M=10, RL=50Ω

0.4

1.4

-

反向击穿电压

VBR

V

ID = 10μA

30

42

80

击穿电压温度系数

ƞ

V/°C

-40 ~ +85°C

0.1

-

0.15



最大绝对额定值

参数

符号

额定值

单位

反向电流

IR

2

mA

正向电流

IF

10

mA

工作温度

Tc

-40 ~ +85

存储温度

Tstg

-55 ~ +125


典型特性曲线

搜狗截图20230426101026.png


搜狗截图20230426101209.png


芯片尺寸及结构图 um

搜狗截图20230426101425.png




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