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  • 铟镓砷 InGaAs  InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm
    铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm

    铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测,具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围(0.5 μm to 2.6 μm)等特点。

    更新时间:2022-09-14型号:访问量:482
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  • 铟镓砷 InGaAs  InGaAs PIN光电二极管 φ3mm
    铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm

    铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测,具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围(0.5 μm to 2.6 μm)等特点。

    更新时间:2022-09-14型号:访问量:505
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  • PLC-B-2000- W2.6- TO52mm大光敏面InGaSe光电探测器
    PLC-B-2000- W2.6- TO52mm大光敏面InGaSe光电探测器

    2mm大光敏面InGaSe光电探测器是一个全色PIN光电二极管,截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料,三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各种光电器件,材料本身性能稳定。

    更新时间:2022-08-08型号:PLC-B-2000- W2.6- TO5访问量:668
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  • 铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二极管(900-1800nm,直径10mm)
    铟镓砷 InGaAs 超大光敏面PIN光电二极管(900-1800nm,直径10mm)

    便于客户供电即用,探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应,从而扭曲光电二极管的时域响应。因此,我们建议使光入射在有效面积中心。为此,可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔 半导体激光二极管。 超大光敏面 铟镓砷(InGaAs)PIN结二极管(PD) 光电二极管(10mm)近红外波长

    更新时间:2022-09-14型号:访问量:675
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