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  • 50Gbps56Gbaud APD Chip(铟镓砷)

    50Gbps56Gbaud APD Chip(铟镓砷) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-10-29
    产品型号:
    浏览量:1518
  • 10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(铟镓砷)

    10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(铟镓砷) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-10-29
    产品型号:
    浏览量:1271
  • IRD-IGS-10900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光电二极管

    900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光电二极管 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。 我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上

    更新时间:2025-09-01
    产品型号:IRD-IGS-10
    浏览量:1690
  • GESTIN-2TE-TO8-2000900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ2mm

    900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ2mm GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器(2TE)组成,采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产品系列。

    更新时间:2025-09-01
    产品型号:GESTIN-2TE-TO8-2000
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  • GESTIN-2TE-TO8-0300900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ0.3mm

    900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ0.3mm GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器(2TE)组成,采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产品系列。

    更新时间:2025-09-01
    产品型号:GESTIN-2TE-TO8-0300
    浏览量:1932
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