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  • 砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT
    砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, >12.5 GHz 美国EOT

    砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, 12.5 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流

    更新时间:2022-09-20型号:访问量:380
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  • 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT   PD
    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT PD

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT [PDF] 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的 >10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT
    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, 10 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • 硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT
    硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT 美国EOT筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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    硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 1.1 GHz 美国EOT筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • 硅 Silicon  ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT
    硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 118 MHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • InGaAs ET-3000  InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT
    InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 >2 GHz 美国EOT

    InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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  • 铟镓砷 InGaAs  ET-3010  光电探测器 >2 GHz 美国EOT
    铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT

    铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 2 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

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