硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ϕ1mm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型，有效面积：Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ϕ3mm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型，有效面积：Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

190～ 1100nm放大型可调增益硅光电探测器 我们的硅探测器 ，感光范围覆盖190nm~1100nm， 常用于紫外 与可见光测量；放大型探测器，8档可调增益 ，定量光电转换；动态范围宽 ，适用于各种光电开发场景 ，应用广泛；索雷博THORLABS同款 ，无缝兼容；性能优秀 ，高性价比 ，quan方位技术支持； 提供非标定制服务。

近红外光自由运行单光子探测器 近红外自由运行单光子探测器模组SPAD-NIR-FR是我司自主研发的一款自由运行单光子探测器，可以探测到单光子水平的微弱光。其中，1550nm单光子的典型探测效率30%，后脉冲7%暗计数4kcps，时间抖动250ps。SPAD-NIR-FR单光子探测器采用主动淬灭、主动恢复技术，实现对雪崩信号的快速抑制，减小模块的暗计数和后脉冲。该产品可用于单光子激光雷达、量子

InGaAs 雪崩单元探测器 APD-5G-A 雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带 跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿； 隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温 度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、 高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。