• 320-1100nm放大型固定增益硅光电探测器

    320-1100nm放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-11-10
    产品型号:
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  • 硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT

    硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。

    更新时间:2024-12-06
    产品型号:
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  • 2-12umMCT放大光电探测器灵敏款

    2-12umMCT放大光电探测器灵敏款 2-12um感光范围,超宽带红外测量,灵敏款

    更新时间:2026-01-21
    产品型号:
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  • IRD-IGS-10900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光电二极管

    900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光电二极管 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。 我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率,其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管,它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上

    更新时间:2025-09-01
    产品型号:IRD-IGS-10
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  • GESTIN-2TE-TO8-2000900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ2mm

    900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ2mm GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器(2TE)组成,采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产品系列。

    更新时间:2025-09-01
    产品型号:GESTIN-2TE-TO8-2000
    浏览量:2319
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