• 50Gbps56Gbaud APD Chip(铟镓砷)

    50Gbps56Gbaud APD Chip(铟镓砷) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-10-29
    产品型号:
    浏览量:1710
  • 10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(铟镓砷)

    10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(铟镓砷) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-10-29
    产品型号:
    浏览量:1408
  • 高性能硒化铅(PbSe)单通道红外探测器(非制冷与制冷型)

    高性能硒化铅(PbSe)单通道红外探测器(非制冷与制冷型) 硒化铅(PbSe)单通道红外探测器在1至5um光谱范围内进行物质分析时,能提供性能与特性的z佳平衡。其高灵敏度、快速响应时间以及业界优秀的可靠性相结合,可确保在任何需要的时间和场合都能提供稳定一致的性能表现。

    更新时间:2025-11-01
    产品型号:
    浏览量:1619
  • 320-1100nm放大型固定增益硅光电探测器

    320-1100nm放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-11-10
    产品型号:
    浏览量:1986
  • 硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT

    硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。

    更新时间:2024-12-06
    产品型号:
    浏览量:2286
共 361 条记录,当前 34 / 73 页  首页  上一页  下一页  末页  跳转到第页