• 145GHz光电探测器模块(单模光纤)

    145GHz光电探测器模块(单模光纤) 产品总览 该产品是为数据通信( 1T/bs PAM),电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。

    更新时间:2024-12-06
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  • 硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm

    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

    更新时间:2024-12-06
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  • 200um InGaAs APD Chip φ200um(铟镓砷)

    200um InGaAs APD Chip φ200um(铟镓砷) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-10-29
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  • 光纤耦合式Si光电探测器 光敏面直径200um

    光纤耦合式Si光电探测器 光敏面直径200um 器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。

    更新时间:2026-06-09
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  • 硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18

    硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。

    更新时间:2024-12-05
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