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产品分类
硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型，有效面积：Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。
更新时间：2024-12-06
产品型号：
浏览量：1820
200um InGaAs APD Chip φ200um（铟镓砷） InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
更新时间：2025-10-29产品型号：浏览量：2479
1064nm 四象限Si光电探测器( 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W) 产品应用 ● 激光瞄准、制导跟踪及探索装置 ● 激光微定位、位移监控等精密测量系统
更新时间：2024-12-05产品型号：浏览量：2188
硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。
更新时间：2024-12-05产品型号：浏览量：2734
905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径：0.23mm TO46) 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。
更新时间：2024-12-05产品型号：浏览量：2148
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