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P760/01_2760nm单模垂直腔面发射激光器
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ZNSP25.4-1IR抛光硫化锌(ZnS)多光谱(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm(晶体/棱镜
2x4 QPSK C波段相干混频器(信号解调/锁相放大器等)
截止波长1300nm 高掺杂EDF掺铒光纤
Frequad-W-CW DUV 单频连续激光器 213nm 10mW Frequad-W
SNA-4-FC-UPC日本精工法兰FC/UPC(连接器/光纤束/光缆)
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm
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WISTSense Point 紧凑型高精度光纤传感器解调仪(信号解调/锁相放大器等)
超高功率光束质量分析仪
350-2000nm 1倍红外观察镜
1030nm超短脉冲种子激光器PS-PSL-1030
NANOFIBER-400-9-SA干涉型单模微纳光纤传感器 1270-2000nm
高能激光光谱光束组合的光栅 (色散匀化片)
S+C+L波段 160nm可调谐带通滤波器
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产品分类145GHz光电探测器模块(单模光纤) 产品总览 该产品是为数据通信( 1T/bs PAM),电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。
更新时间:2024-12-06
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硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。
更新时间:2024-12-06
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200um InGaAs APD Chip φ200um(铟镓砷) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片
更新时间:2025-10-29
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1064nm 四象限Si光电探测器( 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W) 产品应用 ● 激光瞄准、制导跟踪及探索装置 ● 激光微定位、位移监控等精密测量系统
更新时间:2024-12-05
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硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。
更新时间:2024-12-05
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