• 905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径:0.23mm TO46)

    905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径:0.23mm TO46) 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

    更新时间:2024-12-05
    产品型号:
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  • Si光电探测器 光敏面直径2mm

    Si光电探测器 光敏面直径2mm 器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。

    更新时间:2026-06-09
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  • 25Gbps InGaAs APD Chip φ16um(铟镓砷)

    25Gbps InGaAs APD Chip φ16um(铟镓砷) InGaAs雪崩光电二极管(APD)芯片

    更新时间:2025-10-29
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  • 法兰式Si光电探测器 光敏面直径200um

    法兰式Si光电探测器 光敏面直径200um 器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。

    更新时间:2026-06-09
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  • Si光电探测器 光敏面直径4mm

    Si光电探测器 光敏面直径4mm 器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。

    更新时间:2026-06-09
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