• MCT四级TE冷却光电导探测器

    1-16μm 中红外光浸没式MCT四级TE冷却光电导探测器 PCI-4TE系列截止波长受GaAs透过率(~0.9 μm)的限制。设备应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,在低频时探测器性能降低。

    更新时间:2024-12-04
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  • 三级TE冷却光电导探测器

    1-15μm中红外光浸没式MCT三级TE冷却光电导探测器 PCI-3TE系列应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,在低频时探测器的性能降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。带有3°楔状硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干扰效应。

    更新时间:2024-12-04
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  • 2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器

    2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的两级TE冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求。带有3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。

    更新时间:2024-12-04
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  • 2.5-6.5um MCT中红外非制冷光电探测器 PVI系列

    2.5-6.5um MCT中红外非制冷光电探测器 PVI系列 PVI系列是基于复杂的MCT异质结构的非制冷红外光电探测器,采用光学浸没的方式提高器件的性能参数,使其具有优秀的性能和稳定性。

    更新时间:2025-07-10
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  • 1-15μm MCT中红外光电导探测器

    1-15μm MCT中红外光电导探测器, 三级热电冷却 PC-3TE系列是基于复杂的MCT异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器,具有好的性能和稳定性。器件在λopt时达到最佳性能。

    更新时间:2024-12-04
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