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3μm MCT 中红外非制冷光电探测器

简要描述:3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt时达到好性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2021-12-10
  • 访  问  量:50

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子
3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe总览

PV系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光探测器,具有好的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到好性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe产品特点

● 可探测中红外光波范围2.5-6.5μm

● 可配专用前置放大器

● 提供TO39与BNC两种封装形式

封装及尺寸

BNC型封装及尺寸

参量

数值

光敏面积AOmm×mm

0.05×0.05-0.1×0.1

孔径C,mm

Φ4

接收角度Φ

~102°


TO39型封装及尺寸

TO39-引脚定义

引脚定义

功能

引脚号

探测器

1 , 2 

接地

3

产品应用

● 医学热成像

● 红外光谱分析

● 中红外气体吸收检测

● 中红外激光探测

技术参数

参数

探测器型号

PV-3

PV-3.4

PV-4

PV-5

PV-6

有源元件材料

外延MCT异质结构

最佳波长λopt(μm)

3

3.4

4

5

6

相对响应强度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥8.0×109

≥7.0×109

≥5.0×109

≥2.0×109

≥1.0×109

相对响应强度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

≥6.5×109

≥5.0×109

≥3.0×109

≥1.0×109

≥5.0×108

电流响应度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.0

≥1.0

≥1.0

时间常数T,ns

≤350

≤260

≤150

≤120

≤180

电阻×光敏面面积R·A,Ω∙cm^2

≥1

≥0.5

≥0.1

≥0.01

≥0.002

感光面尺寸A,mm×mm

0.05×0.05,0.1×0.1

封装

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

接收角ϕ

~90°

~102°

~90°

~102°

~90°

~102°

~90°

~102°

~90°

~102°

窗口


探测器光谱响应特性曲线

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