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硅(Si) 硅基光电探测器,带放大,固定增益 400-1100nm (DC-5MHz)

简要描述:筱晓(上海)光子技术有限公司,MCT探测器,半导体激光二极管,中红外QCL激光器,光纤放大器,光电探测器

  • 产品型号:
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-06-12
  • 访  问  量:693

详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
组成要素半导体激光器产品及设备产地类别进口
应用领域化工,建材,电子

硅(Si) 硅基光电探测器是一种额定带宽,固定增益的光电探测器,用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入,输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔,可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈,这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用,可以方便适配外部光学部件,如滤光片,衰减片,镜头,FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源,该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。

 

 

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光谱响应
400-1100nm
 
带宽(Hz)
5 MHz
通用参数

产品特点:

低噪声,小于±lmV

过冲小,过冲电压小于2.5%

增益稳定:增益误差小于1%

暗偏置电压输出噪声:小于ImV (rms)

 

应用领域:

•显示面板检测

•LED照明频闪分析

•玩具灯闪烁频率及功率测量

•气体分析

 

搜狗截图20220217135438.png

 

 

参数

PN#

PDAM005B-Si

PDAM36A5B6G-SI

PDAM20A6B4G-InGaAs

电器特性

     

输入电压

±9VDC, 60mA

±9VDG 100mA

±9VDC. 100mA

探头

Silicon PIN

Silicon PIN

InGaAs PIN

感光面

2.65mm * 2.65mm

3.6mm * 3.6mm

Diameters@2 mm

波长

400 nm - 1100 nm

320 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm

(Optional Extended

(可选扩展)   2600nm)

峰值响应

0.62A/W @850nm

0.6 A/W @960nm

0.9 A/W@1550nm

 

43.6mV/uW @850nm

1 mV/nW @960nm

9mV/uW@1550nm

饱和光功率

113pW@ 850nm (Hi-Z)

6uW @960nm (Hi-Z)

660 uW@1550nm (Hi-Z)

带宽

DC •-5MHz

DC - 200kHz

DC - 5MHz

NEP

7.2 pW/4HZ1/2

2.2 pW/HZ1/2

64.5 pW/HZ1/2

输出噪声(RMS)

700 uV

1 mV ・typ

1.3 mV .typ

暗电流偏置(MAX)

±5 mV

±1 mV

±5 mV

上升沿/下降沿(10%—90%)

65 ns

1.7 us

68ns

输出电压

     

Hi-Z

0- SV (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

500

0 • 2.5V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

增益倍数

     

Hi-Z

67.5 kV/A

1.68 MV/A

10 kV/A

500

33.8 kV/A

0.84 MV/A

5kV/A

增益精度(typ)

±1%

±1%

±1%

其他参数

     
 

拨动开关

拨动开关

拨动开关

输出接口

BNC

BNC

BNC

尺寸

53*50*50mm

53*50*50mm

53*50*50mm

重量

150g

150g

150g

操作温度

10-50deg

10-50deg

10-50deg

存储温度

・25°C - 70°C

-25°C - 70°C

-25°C - 70°C

 

 

 

硅基光电探测器,带放大,固定增益,型号参考
目录 波长 带宽 上升时间 增益 RMS噪声 NEP 感应面积 工作温度 电源
Hi-Z 负载 50Ω 负载
PDA12A8B4G-VIS 400 - 1100 nm DC - 140MHz 2.5 nS 1*10V/A 5*103 kV/A 850µV .typ 2*10-11 W/√HZ 1.2mm*1.2 mm 10-50℃ 包含(±9V)
PDA12A7B4G-VIS 400 - 1100 nm DC - 50MHz 7 nS 5*10V/A 2.5*104 kV/A 800µV .typ 6.3*10-12 W/√HZ 1.2mm*1.2 mm 10-50℃ 包含(±9V)
PDA25A6B4G-VIS 400 - 1100 nm DC - 5MHz 68 nS 1*10V/A 5*104 V/A 700µV .typ 5.3*10-12 W/√HZ 2.5mm*2.5 mm 10-50℃ 包含(±9V)
PDA36A5B6G-VIS 320 - 1100 nm DC - 200KHZ 1.7 µS 1.68*106 V/A 8.4*105 V/A 1mV .typ 2.2*10-12 W/√HZ 3.6mm*3.6mm 10-50℃ 包含(±9V)
PDA25A4B8G-VIS 400 - 1100 nm DC - 20KHZ 18 µS 1*10V/A 1.5mV .typ 1.8*10-13 W/√HZ 2.5mm*2.5 mm 10-50℃ 包含(±9V)

 



光谱灵敏度

 

 

 

 

 

 

交流传输特性

 

 

外观及安装使用



 

测试案列:

测试光源:

PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA

SN:DO3431e-q2-Bo2-A19

测试条件:25℃、激光器电流扫描15-23mA,探测器输出如下图。

 

此款探测器在972nm时,探测精度高,微弱光(几十微瓦)也可以探测到。

 

 

尺寸图

 

 

 

 

 

 

 

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