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product
产品分类
3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt时达到好性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。
更新时间：2024-12-04
产品型号：
浏览量：1331
光电磁MCT红外光伏探测器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm处探测性能最佳，是一款特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大感光面探测器。这款探测器被安装在内部含有磁性电路的特殊包装中。3°楔形硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗户，可以防止不必要的干扰影响和污染。
更新时间：2024-12-04产品型号：MCT-PEMI-10.6-2×2浏览量：1281
1-16μm 中红外光浸没式MCT四级TE冷却光电导探测器 PCI-4TE系列截止波长受GaAs透过率(~0.9 μm)的限制。设备应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，在低频时探测器性能降低。
更新时间：2024-12-04产品型号：浏览量：1722
1-15μm中红外光浸没式MCT三级TE冷却光电导探测器 PCI-3TE系列应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，在低频时探测器的性能降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。带有3°楔状硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干扰效应。
更新时间：2024-12-04产品型号：浏览量：1608
2.5-6.5um MCT中红外非制冷光电探测器 PVI系列 PVI系列是基于复杂的MCT异质结构的非制冷红外光电探测器，采用光学浸没的方式提高器件的性能参数，使其具有优秀的性能和稳定性。
更新时间：2025-09-03产品型号：MCT-PVI-3-1×1浏览量：1299
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