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  • 2-12um铟砷锑放大光电探测器,灵敏款

    2-12um铟砷锑放大光电探测器,灵敏款 产品描述: 筱晓光子的碲镉汞放大光电探测器感光范围覆盖2-11um,有8档可调增益,可实现定量光电转换,动态范围宽,适用于各种红外光电开发场景,性能优秀,性价比高,提供quan方位技术支持,常应用于中长波红外测量。

    更新时间:2024-12-09
    产品型号:
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  • 900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却  Φ3mm

    900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ3mm 产品总览 GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器(2TE)组成,采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产品系列。

    更新时间:2025-02-20
    产品型号:
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  • 40 GHz 微波光子接收器(超快光电探测器)(铟镓砷)

    40 GHz 微波光子接收器(超快光电探测器)(铟镓砷) 超快光电探测器测量直流至 110GHz范围内的光波形。多款型号的上升时间短至 1ps,光谱覆盖范围为 800 至 1700 nm。 所有光电二极管均封装在紧凑坚固的铝制外壳中,可通过电池或外部电源供电。优秀的阻抗匹配和*的微波技术,确保脉冲波形测量无任何振铃或伪影。

    更新时间:2026-01-06
    产品型号:
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  • 大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片(高增益版 最大增益50)

    大光敏面铟镓砷InGaAs APD芯片(高增益版 最大增益50) 产品应用 人眼安全激光雷达、激光测距 光时域反射计(OTDR) 空间光通信 仪器仪表 光纤传感

    更新时间:2024-12-08
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  • NIR-256×1NIR-256X1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um

    NIR-256X1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um 规模:256x1;光敏面尺寸:50um×50um;像元中心距:50 um;光谱响应波段:0.9~1.7 um; 峰值探测器率:≥1x1012 cm·Hz1/2/W@5°C 1 .55 um;响应非均匀性:≤5%;盲元率:≤0.5%;动态范围 ≥70dB; 量子效率:≥80%;

    更新时间:2025-09-03
    产品型号:NIR-256×1
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