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  • 200-1100nm硅基偏压光电探测器,感光尺寸Φ1.0mm

    200-1100nm硅基偏压光电探测器,感光尺寸Φ1.0mm 产品描述: 筱晓光子的硅基偏压光电探测器感光范围覆盖200nm~1100nm,噪声极低,响应快,无增益,成本低,适用于常规光电探测应用,性能优秀,性价比高,提供quan方位技术支持,常应用于紫外与可见光测量。

    更新时间:2024-12-09
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  • 350-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸3.6×3.6mm

    350-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸3.6×3.6mm 产品描述: 筱晓光子的硅基放大光电探测器感光范围覆盖190nm~1100nm,有8档可调增益,可实现定量光电转换,动态范围宽,适用于各种光电开发场景,性能优秀,性价比高,提供quan方位技术支持,常应用于紫外与可见光测量。

    更新时间:2024-12-09
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  • 320-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸Φ9.8mm

    320-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸Φ9.8mm 产品描述: 筱晓光子的硅基放大光电探测器感光范围覆盖190nm~1100nm,有8档可调增益,可实现定量光电转换,动态范围宽,适用于各种光电开发场景,性能优秀,性价比高,提供quan方位技术支持,常应用于紫外与可见光测量。

    更新时间:2024-12-09
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  • 190-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸3.6×3.6mm

    190-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸3.6×3.6mm 产品描述: 筱晓光子的硅基放大光电探测器感光范围覆盖190nm~1100nm,有8档可调增益,可实现定量光电转换,动态范围宽,适用于各种光电开发场景,性能优秀,性价比高,提供quan方位技术支持,常应用于紫外与可见光测量。

    更新时间:2024-12-09
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  • 硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ϕ1mm

    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ϕ1mm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

    更新时间:2025-02-06
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