当前位置:首页产品中心光电探测器Si硅光电探测器

  • PDA015A2-UV(DP)200-1100nm放大型固定增益硅光电探测器 感光尺寸 Φ150μm

    200-1100nm放大型固定增益硅光电探测器 感光尺寸 Φ150μm 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-09-23
    产品型号:PDA015A2-UV(DP)
    浏览量:2097
  • PDA10A2(DP)200-1100nm放大型固定增益硅光电探测器 感光尺寸 Φ1.0mm

    200-1100nm放大型固定增益硅光电探测器 感光尺寸 Φ1.0mm 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-09-23
    产品型号:PDA10A2(DP)
    浏览量:2720
  • 320-1100nm放大型固定增益硅光电探测器

    320-1100nm放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-11-10
    产品型号:
    浏览量:1937
  • 400-1100nm放大型固定增益硅光电探测器

    400-1100nm放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-11-10
    产品型号:
    浏览量:1758
  • PDA8A2(DP)320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器

    320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-07-03
    产品型号:PDA8A2(DP)
    浏览量:1580
共 38 条记录,当前 6 / 8 页  首页  上一页  下一页  末页  跳转到第页