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  • 6mm大光敏面(Si)硅光电探测器

    6mm大光敏面(Si)硅光电探测器 器件为硅PIN 光电二极管,在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。

    更新时间:2026-06-09
    产品型号:
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  • PDA8A2(DP)320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器

    320-1000nm放大型固定增益硅光电探测器 铟镓砷雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准PIN探测器更强的灵敏度和更低的噪声,非常适合于低光功率级别的应用。除了我们标准的APD之外,还提供具有可变增益(即M因子)和/或温度补偿的版本。

    更新时间:2025-07-03
    产品型号:PDA8A2(DP)
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  • 硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz

    硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz 高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪 声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。 具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等 特点,可以有效的减少信号的共模噪声,提高系统的信噪比。

    更新时间:2024-12-06
    产品型号:
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  • 145GHz光电探测器模块(单模光纤)

    145GHz光电探测器模块(单模光纤) 产品总览 该产品是为数据通信( 1T/bs PAM),电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。

    更新时间:2024-12-06
    产品型号:
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  • 硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm

    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

    更新时间:2024-12-06
    产品型号:
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